[发明专利]交叉耦合晶体管阈值电压失配补偿以及相关装置、系统及方法

说明书

本发明揭示交叉耦合晶体管阈值电压失配补偿以及相关装置、系统及方法。一种设备包含交叉耦合晶体管对及补偿晶体管对。所述交叉耦合晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管的第一栅极耦合到第一位线，且所述第二晶体管的第二栅极耦合到第二位线。所述补偿晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管。所述第三晶体管与所述第一晶体管串联耦合于所述第一晶体管的第一源极与共同源极线之间。所述第四晶体管与所述第二晶体管串联耦合于所述第二晶体管的第二源极与所述共同源极线之间。一种存储器装置包含感测放大器。一种计算系统包含所述存储器装置。

优先权主张

本申请案主张于2019年11月8日提出申请的“交叉耦合晶体管阈值电压失配补偿以及相关装置、系统及方法(Cross-Coupled Transistor Threshold Voltage MismatchCompensation and Related Devices,Systems,and Methods)”的美国专利申请案序号16/678,394的申请日期的权益。

技术领域

本发明一般来说涉及交叉耦合晶体管的阈值电压之间的失配补偿，且更特定来说涉及存储器装置的感测放大器中的阈值电压失配补偿。

背景技术

用于检测存储在存储器元件(例如，动态随机存取存储器(DRAM)中的电容性存储器元件)中的数据的感测放大器有时包含交叉耦合晶体管。交叉耦合晶体管可使得能够检测由存储器元件存储的相对小的电荷量。

发明内容

在一些实施例中，一种设备包含交叉耦合晶体管对及补偿晶体管对。所述交叉耦合晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管的第一栅极可操作地耦合到第一位线且所述第二晶体管的第二栅极可操作地耦合到第二位线。所述补偿晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管。所述第三晶体管与所述第一晶体管可操作地串联耦合于所述第一晶体管的第一源极与共同源极线之间。所述第四晶体管与所述第二晶体管可操作地串联耦合于所述第二晶体管的第二源极与所述共同源极线之间。

在一些实施例中，一种存储器装置包含感测放大器及控制电路。所述感测放大器包含交叉耦合晶体管对及补偿晶体管对。所述交叉耦合晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管的第一栅极可操作地耦合到第一位线且所述第二晶体管的第二栅极可操作地耦合到第二位线。所述补偿晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管。所述第三晶体管与所述第一晶体管可操作地串联耦合于所述第一晶体管的第一源极与共同源极线之间。所述第四晶体管与所述第二晶体管可操作地串联耦合于所述第二晶体管的第二源极与所述共同源极线之间。所述控制电路经配置以在阈值电压补偿操作中控制所述感测放大器以：将所述第三晶体管的第三栅极可操作地耦合到所述第一晶体管的第一漏极，将所述第四晶体管的第四栅极可操作地耦合到所述第二晶体管的第二漏极，及将所述第一晶体管的所述第一漏极及所述第二晶体管的所述第二漏极与所述第一位线及所述第二位线电隔离。

在一些实施例中，一种计算系统包含至少一个存储器装置，其包含感测放大器，所述感测放大器包含交叉耦合晶体管对及补偿晶体管对。所述补偿晶体管对与所述交叉耦合晶体管对可操作地串联耦合于所述交叉耦合晶体管对与共同源极线之间。

附图说明

尽管本发明以尤其指出且明显主张特定实施例的权利要求书结束，但当结合附图一起阅读时，可依据以下说明较容易地确定本发明的范围内的实施例的各种特征及优点，附图中：

图1是根据一些实施例的存储器装置的框图；

图2是图1的存储器装置的实例的一部分的电路示意性图解说明；

图3是在图2中图解说明的部分的信号的信号时序图；

图4是图1的存储器装置的另一实例的一部分的电路示意性图解说明；

图5是在图4中图解说明的部分的信号的信号时序图；