[发明专利]交叉耦合晶体管阈值电压失配补偿以及相关装置、系统及方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

交叉耦合晶体管对，其包含第一晶体管及第二晶体管，所述第一晶体管的第一栅极可操作地耦合到第一位线且所述第二晶体管的第二栅极可操作地耦合到第二位线；及

补偿晶体管对，其包含第三晶体管及第四晶体管，所述第三晶体管与所述第一晶体管可操作地串联耦合于所述第一晶体管的第一源极与共同源极线之间，所述第四晶体管与所述第二晶体管可操作地串联耦合于所述第二晶体管的第二源极与所述共同源极线之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述第三晶体管的第三栅极可选择性地配置为电浮动，可操作地耦合到所述第一晶体管的第一漏极，或可操作地耦合到所述第一晶体管的所述第一栅极；及

所述第四晶体管的第四栅极可选择性地配置为电浮动，可操作地耦合到所述第二晶体管的第二漏极，或可操作地耦合到所述第二晶体管的所述第二栅极。

3.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括漏极耦合晶体管对，所述漏极耦合晶体管对经配置以分别：将所述第三晶体管的所述第三栅极及所述第四晶体管的所述第四栅极选择性地可操作地耦合到所述第一晶体管的所述第一漏极及所述第二晶体管的所述第二漏极，及与所述第一晶体管的所述第一漏极及所述第二晶体管的所述第二漏极隔离。

4.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括栅极耦合晶体管对，所述栅极耦合晶体管对经配置以分别：将所述第三晶体管的所述第三栅极及所述第四晶体管的所述第四栅极选择性地可操作地耦合到所述第一晶体管的所述第一栅极及所述第二晶体管的所述第二栅极，及与所述第一晶体管的所述第一栅极及所述第二晶体管的所述第二栅极隔离。

5.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括隔离晶体管对，所述隔离晶体管对经配置以将所述第一位线选择性地可操作地耦合到所述第一晶体管的所述第一漏极及与所述第一晶体管的所述第一漏极隔离，且将所述第二位线选择性地可操作地耦合到所述第二晶体管的所述第二漏极及与所述第二晶体管的所述第二漏极隔离。

6.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括预充电晶体管，所述预充电晶体管经配置以将预充电电压电位选择性地可操作地耦合到所述第一晶体管的所述第一漏极或所述第二晶体管的所述第二漏极中的至少一者，及与所述第一晶体管的所述第一漏极或所述第二晶体管的所述第二漏极中的至少一者隔离。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管中的每一者包括N型金属氧化物半导体晶体管NMOS晶体管。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管中的每一者包括P型金属氧化物半导体晶体管PMOS晶体管。

9.一种存储器装置，其包括：

感测放大器，其包含：

交叉耦合晶体管对，其包括第一晶体管及第二晶体管，所述第一晶体管的第一栅极可操作地耦合到第一位线且所述第二晶体管的第二栅极可操作地耦合到第二位线；及

补偿晶体管对，其包含第三晶体管及第四晶体管，所述第三晶体管与所述第一晶体管可操作地串联耦合于所述第一晶体管的第一源极与共同源极线之间，所述第四晶体管与所述第二晶体管可操作地串联耦合于所述第二晶体管的第二源极与所述共同源极线之间；及

控制电路，其经配置以在阈值电压补偿操作中控制所述感测放大器以：

将所述第三晶体管的第三栅极可操作地耦合到所述第一晶体管的第一漏极；

将所述第四晶体管的第四栅极可操作地耦合到所述第二晶体管的第二漏极；及

将所述第一晶体管的所述第一漏极及所述第二晶体管的所述第二漏极与所述第一位线及所述第二位线电隔离。