[发明专利]温度补偿电路和温度补偿式放大器电路

说明书

公开了一种温度补偿电路和一种温度补偿式放大器电路的实施例。在一实施例中，一种温度补偿电路包括具有串联连接的晶体管装置的偏置基准电路和连接到所述偏置基准电路的驱动晶体管装置。所述串联连接的晶体管装置中的至少一个包括连接在所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个的两个端之间的电阻器。所述驱动晶体管装置被配置成基于所述电阻器的电阻值生成驱动电流。

技术领域

本发明涉及温度补偿电路和温度补偿式放大器电路。

背景技术

温度波动会影响电路的操作。例如，温度波动会造成放大器的增益变化。然而，不同的应用需要在不同的温度范围内并以不同的补偿水平补偿由温度波动造成的一个或多个操作参数的变化。因此，需要一种可以用于遍及宽温度范围以各种补偿水平进行温度补偿的温度补偿电路。

发明内容

公开了一种温度补偿电路和一种温度补偿式放大器电路的实施例。在一实施例中，一种温度补偿电路包括具有串联连接的晶体管装置的偏置基准电路和连接到所述偏置基准电路的驱动晶体管装置。所述串联连接的晶体管装置中的至少一个包括连接在所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个的两个端之间的电阻器。所述驱动晶体管装置被配置成基于所述电阻器的电阻值生成驱动电流。还描述了其它实施例。

在一实施例中，所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个包括双极结型晶体管(BJT)，并且所述电阻器连接在所述BJT的基极端和所述BJT的集电极端之间。

在一实施例中，所述偏置基准电路进一步包括控制器，所述控制器被配置成基于操作温度控制所述电阻器的电阻值。

在一实施例中，所述控制器被进一步配置成基于所述操作温度控制所述电阻器的所述电阻值，以补偿由温度波动造成的温度偏置电流的变化。

在一实施例中，所述串联连接的晶体管装置包括多个BJT。

在一实施例中，所述BJT串联连接在温度偏置电流源和固定电压之间。

在一实施例中，所述固定电压为接地。

在一实施例中，所述驱动晶体管装置包括BJT。

在一实施例中，所述驱动晶体管装置被进一步配置成基于所述电阻器的所述电阻值生成用于放大器的所述驱动电流。

在一实施例中，所述温度补偿电路进一步包括衬底，在所述衬底中制造了所述温度补偿电路和所述放大器。

在一实施例中，所述衬底包括砷化镓(GaAs)衬底。

在一实施例中，一种温度补偿式放大器电路包括放大器和温度补偿电路。所述温度补偿电路包括偏置基准电路、连接到所述偏置基准电路的驱动晶体管装置以及衬底，在所述衬底中制造了所述温度补偿电路和所述放大器。所述偏置基准电路包括串联连接的晶体管装置，并且所述串联连接的晶体管装置中的至少一个包括连接在所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个的两个端之间的电阻器。所述驱动晶体管装置被配置成基于所述电阻器的电阻值生成用于所述放大器的驱动电流。

在一实施例中，所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个包括第一BJT，所述电阻器连接在所述第一BJT的基极端和所述第一BJT的集电极端之间，并且所述放大器包括第二BJT。

在一实施例中，所述偏置基准电路进一步包括控制器，所述控制器被配置成基于所述温度补偿式放大器电路的操作温度控制所述电阻器的电阻值，以补偿由温度波动造成的温度偏置电流的变化。

在一实施例中，所述串联连接的晶体管装置包括BJT。

在一实施例中，所述BJT串联连接在温度偏置电流源和固定电压之间。

在一实施例中，所述驱动晶体管装置包括第二BJT。