[发明专利]温度补偿电路和温度补偿式放大器电路在审
| 申请号： | 202010740753.1 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112306137A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·斯陶丁格;游宇;唐纳德·弗农·海士 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567;H03F1/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度 补偿 电路 放大器 | ||
1.一种温度补偿电路，其特征在于，包括：
偏置基准电路，其中所述偏置基准电路包括多个串联连接的晶体管装置，并且其中所述串联连接的晶体管装置中的至少一个包括连接在所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个的两个端之间的电阻器；以及
驱动晶体管装置，所述驱动晶体管装置连接到所述偏置基准电路并被配置成基于所述电阻器的电阻值生成驱动电流。
2.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个包括双极结型晶体管(BJT)，并且其中所述电阻器连接在所述BJT的基极端和所述BJT的集电极端之间。
3.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述偏置基准电路进一步包括控制器，所述控制器被配置成基于操作温度控制所述电阻器的电阻值。
4.根据权利要求3所述的温度补偿电路，其特征在于，所述控制器被进一步配置成基于所述操作温度控制所述电阻器的所述电阻值，以补偿由温度波动造成的温度偏置电流的变化。
5.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述串联连接的晶体管装置包括多个双极结型晶体管(BJT)。
6.根据权利要求5所述的温度补偿电路，其特征在于，所述BJT串联连接在温度偏置电流源和固定电压之间。
7.根据权利要求6所述的温度补偿电路，其特征在于，所述固定电压为接地。
8.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述驱动晶体管装置包括双极结型晶体管(BJT)。
9.一种温度补偿式放大器电路，其特征在于，包括：
放大器；
温度补偿电路，所述温度补偿电路包括：
偏置基准电路，其中所述偏置基准电路包括多个串联连接的晶体管装置，并且其中所述串联连接的晶体管装置中的至少一个包括连接在所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个的两个端之间的电阻器；以及
驱动晶体管装置，所述驱动晶体管装置连接到所述偏置基准电路并被配置成基于所述电阻器的电阻值生成用于所述放大器的驱动电流；以及
衬底，在所述衬底中制造了所述温度补偿电路和所述放大器。
10.一种温度补偿电路，其特征在于，包括：
偏置基准电路，其中所述偏置基准电路包括：
第一晶体管装置和第二晶体管装置，所述第一晶体管装置和所述第二晶体管装置串联连接，其中所述第一晶体管装置包括第一双极结型晶体管(BJT)和连接在所述第一BJT的基极端和集电极端之间的第一电阻器，并且其中所述第二晶体管装置包括第二BJT和连接在所述第二BJT的基极端和集电极端之间的第二电阻器；以及
驱动晶体管装置，所述驱动晶体管装置连接到所述偏置基准电路并被配置成基于所述第一电阻器和所述第二电阻器的电阻值生成驱动电流。
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