[发明专利]蚀刻装置和晶片支承件

说明书

本发明提供蚀刻装置和晶片支承件，在湿蚀刻时，抑制清洗水的飞散。要进行湿蚀刻的晶片(W)支承于具有间隙的晶片支承件(3)。并且，清洗单元(31)在通过清洗水对晶片支承件(3)所支承的晶片(W)的上表面进行清洗时，通过配置于晶片支承件(3)的下方的清洗液用瓶(32)对从晶片支承件(3)的间隙流下的清洗水进行回收。由此，能够一边抑制清洗水向晶片(W)的周围飞散一边良好地回收清洗水。

技术领域

本发明涉及蚀刻装置和晶片支承件。

背景技术

在专利文献1～3中公开了湿蚀刻。在湿蚀刻中，向硅晶片的上表面提供蚀刻液而对晶片的上表面进行蚀刻。

专利文献1：日本特开平02-086130号公报

专利文献2：日本特开平06-265869号公报

专利文献3：日本特开2017-028257号公报

以往，在蚀刻后，用于清洗晶片的清洗水向晶片的周围飞散。因此，为了对所飞散的清洗水进行回收，需要大型的废液处理装置。

发明内容

本发明的目的在于提供蚀刻装置和晶片支承件，在湿蚀刻时，抑制清洗水的飞散。

本发明的蚀刻装置(本蚀刻装置)是对晶片支承件所支承的晶片进行湿蚀刻的湿蚀刻装置，其中，该蚀刻装置包含：蚀刻单元，其使蚀刻液积存于该晶片支承件所支承的晶片的上表面上而对晶片的上表面进行蚀刻；清洗单元，其通过清洗水对该晶片支承件所支承的晶片的上表面进行清洗；干燥单元，其用于使该晶片支承件所支承的晶片旋转而使晶片干燥；以及收纳室，其对该蚀刻单元、该清洗单元以及该干燥单元进行收纳，该晶片支承件具有主体部和腿，该主体部包含：基部，其与晶片的下表面局部接触而载置晶片；以及多个柱部，它们按照围绕载置于该基部的晶片的方式竖立设置于该基部，该腿从该主体部向外侧伸出，该清洗单元构成为对从该晶片支承件的间隙流下的清洗水进行回收，该蚀刻装置对晶片的上表面进行蚀刻。

另外，在本蚀刻装置中，还可以具有用于维持该收纳室内的清洁度的清洁单元，该收纳室可以具有用于排出该收纳室内的气体的出口以及用于使气体进入该收纳室内的入口，

该清洁单元可以具有：配管，其用于使气体从该出口向该入口流动；风扇，其配设于该配管；除害单元，其配设于该配管，将气体的毒性成分去除；以及过滤器，其配设于该配管中的该除害单元与该入口之间，将该气体所包含的尘埃去除。

另外，在本蚀刻装置中，该蚀刻单元可以具有：蚀刻液提供部，其向该晶片支承件所支承的晶片的上表面滴加规定的量的蚀刻液，利用表面张力而形成蚀刻液层；以及蚀刻液回收部，其在蚀刻后从晶片的上表面吸取该蚀刻液，该清洗单元可以具有：第1瓶，其在上部具有开口，该开口比晶片的直径大，能够借助该腿而与该晶片支承件卡合；以及清洗水提供部，其向与该第1瓶的开口卡合的该晶片支承件所支承的晶片的上表面提供清洗水，该干燥单元可以具有：保持工作台，其对该晶片支承件进行保持，并且对晶片的下表面进行吸引保持；以及旋转部，其使该保持工作台旋转而使晶片干燥。

在该情况下，本蚀刻装置可以在该收纳室内还具有将形成于晶片的上表面的掩模层去除的掩模层去除单元，该掩模层去除单元可以具有：第2瓶，其在上部具有开口，该开口比晶片的直径大，能够借助该腿而卡合该晶片支承件；第1液提供部，其向与该第2瓶的开口卡合的该晶片支承件所支承的晶片的上表面提供第1液；以及第2液提供部，其向该晶片的上表面提供第2液。

另外，在本蚀刻装置中，可以在该收纳室内还具有对支承着晶片的该晶片支承件进行搬送的搬送单元，该搬送单元可以具有：爪，其钩挂该晶片支承件的腿而进行保持；水平移动单元，其使该爪在水平方向上移动；以及升降单元，其使该爪升降。