[发明专利]蚀刻装置和晶片支承件

权利要求书

1.一种蚀刻装置，其是对晶片支承件所支承的晶片进行湿蚀刻的湿蚀刻装置，其中，

该蚀刻装置包含：

蚀刻单元，其使蚀刻液积存于该晶片支承件所支承的晶片的上表面上而对晶片的上表面进行蚀刻；

清洗单元，其通过清洗水对该晶片支承件所支承的晶片的上表面进行清洗；

干燥单元，其用于使该晶片支承件所支承的晶片旋转而使晶片干燥；以及

收纳室，其对该蚀刻单元、该清洗单元以及该干燥单元进行收纳，

该晶片支承件具有主体部和腿，

该主体部包含：

基部，其与晶片的下表面局部接触而载置晶片；以及

多个柱部，它们按照围绕载置于该基部的晶片的方式竖立设置于该基部，

该腿从该主体部向外侧伸出，

该清洗单元构成为对从该晶片支承件的间隙流下的清洗水进行回收，

该蚀刻装置对晶片的上表面进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，

该蚀刻装置还具有用于维持该收纳室内的清洁度的清洁单元，

该收纳室具有用于排出该收纳室内的气体的出口以及用于使气体进入该收纳室内的入口，

该清洁单元具有：

配管，其用于使气体从该出口向该入口流动；

风扇，其配设于该配管；

除害单元，其配设于该配管，将气体的毒性成分去除；以及

过滤器，其配设于该配管中的该除害单元与该入口之间，将该气体所包含的尘埃去除。

3.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，

该蚀刻单元具有：

蚀刻液提供部，其向该晶片支承件所支承的晶片的上表面滴加规定的量的蚀刻液，利用表面张力而形成蚀刻液层；以及

蚀刻液回收部，其在蚀刻后从晶片的上表面吸取该蚀刻液，

该清洗单元具有：

第1瓶，其在上部具有开口，该开口比晶片的直径大，能够借助该腿而与该晶片支承件卡合；以及

清洗水提供部，其向与该第1瓶的开口卡合的该晶片支承件所支承的晶片的上表面提供清洗水，

该干燥单元具有：

保持工作台，其对该晶片支承件进行保持，并且对晶片的下表面进行吸引保持；以及

旋转部，其使该保持工作台旋转而使晶片干燥。

4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其中，

在该收纳室内还具有将形成于晶片的上表面的掩模层去除的掩模层去除单元，

该掩模层去除单元具有：

第2瓶，其在上部具有开口，该开口比晶片的直径大，能够借助该腿而与该晶片支承件卡合；

第1液提供部，其向与该第2瓶的开口卡合的该晶片支承件所支承的晶片的上表面提供第1液；以及

第2液提供部，其向该晶片的上表面提供第2液。

5.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，

在该收纳室内还具有对支承着晶片的该晶片支承件进行搬送的搬送单元，

该搬送单元具有：

爪，其钩挂该晶片支承件的腿而进行保持；

水平移动单元，其使该爪在水平方向上移动；以及

升降单元，其使该爪升降。

6.一种晶片支承件，其对晶片进行支承，其中，

该晶片支承件具有主体部和腿，

该主体部包含：

基部，其与晶片的下表面局部接触而载置晶片；以及

多个柱部，它们按照围绕载置于该基部的晶片的方式竖立设置于该基部，

该腿从该主体部向外侧伸出。