[发明专利]一种高功率低噪声的光电探测器在审
| 申请号: | 202010735361.6 | 申请日: | 2020-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN111933719A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 徐善辉;杨昌盛;赵齐来 | 申请(专利权)人: | 横琴东辉科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02 |
| 代理公司: | 珠海飞拓知识产权代理事务所(普通合伙) 44650 | 代理人: | 陈李青 |
| 地址: | 519031 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率 噪声 光电 探测器 | ||
本发明公开一种高功率低噪声的光电探测器其特征在特征在于所述光电探测器包括基座、外壳、电路板、电源接口、滤波电容、运算放大器、精密电阻、光电二极管和信号输出接口,电路板上设置有滤波电容、运算放大器、光电二极管和精密电阻,电源接口和信号输出接口设置于电路板上;外壳盖装于基座上构成容置空间,侧边开设有两个孔;所述外壳上端还设有进光口,所述进光口上设有保护盖;电路板设置于容置空间内,通过在大光敏面光电二极管的底部增加半导体制冷片结合精密电阻的温控系统,实现恒定低温工作环境,有效降低光电探测器在大功率激光信号探测时所引起的热噪声成分,提高测试信号的工作稳定性和精确性。
【技术领域】
本发明涉及光电探测领域,具体涉及一种高功率低噪声的光电探测器。
【背景技术】
因当前的光电探测器大多采用普通光电二极管结合电路放大器实现,主要存在以下几个缺点:
①普通光电二极管的光敏面的面积有限,在相同的光功率密度损伤条件下,其承受光功率大小随之受限,难以实现大功率激光信号的有效探测;
②普通光电二极管不具备制冷能力,从而在工作过程中,特别是较大功率探测中,容易引起明显的热噪声,干扰测试结果;
③采用电路放大器增加负载电阻,虽然可以在一定程度上降低热噪声,但同时提高光电转换系数,导致了相同供电电源条件下,饱和输出电压所对应的光功率下降,即付出了降低探测光功率的代价;
【发明内容】
为解决上述问题,提出了一种高功率低噪声的光电探测器;
一种高功率低噪声的光电探测器,其特征在于所述光电探测器包括基座、外壳、电路板、电源接口、滤波电容、运算放大器、精密电阻、光电二极管和信号输出接口;
所述电路板上设置有滤波电容、运算放大器、光电二极管和精密电阻;
所述光电二极管底部还设有半导体制冷片;
所述电源接口和信号输出接口设置于电路板上;
所述外壳盖装于基座上构成容置空间,侧边开设有两个孔;
所述外壳上端还设有进光口,所述进光口上设有保护盖;
所述电路板设置于容置空间内;所述电源接口和信号输出接口通过孔向外伸出。
进一步地、所述光电二极管为大光敏面光电二极管,光敏面为3mm2~5mm2,内部集成有热敏电阻。
进一步地、所述外壳上设有卡扣,所述基座上设有卡槽,二者配合连接,所述外壳和基座均还设有螺纹孔,通过螺丝固定。
进一步地、所述运算放大器为低噪声运算放大器。
进一步地、所述探测器上还设有电池系统。
本发明采用新型的大光敏面光电二极管为基础制备新型的大功率低噪声光电探测器,在此基础上,实现超过100毫瓦的激光信号探测,无需任何滤光或者衰减措施;
本发明通过在大光敏面光电二极管的底部增加半导体制冷片结合精密电阻的温控系统,实现恒定低温工作环境,有效降低光电探测器在大功率激光信号探测时所引起的热噪声成分,提高测试信号的工作稳定性和精确性;
本发明采用低噪声运算放大器结合较低阻值的精密电阻,实现光电二极管所产生电信号的放大,同时在此电路板的背部引入半导体制冷片结合精密电阻的温控系统,实现恒定低温工作环境,降低因减低阻值电阻带来的热噪声成分;
本发明还设有的电池系统为整个光电探测器进行供电,减小电源噪声的干扰影响,有效地提高了饱和输出电压所对应的激光功率。
【附图说明】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





