[发明专利]提高晶片蚀刻均匀性的方法及装置

权利要求书

1.一种提高晶片蚀刻均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用晶片固定装置将晶片固定，并至少暴露出所述晶片的蚀刻面；

使所述晶片绕预设轴线旋转，以使所述晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同，使得晶片的蚀刻面均匀地接触蚀刻气体，同时使旋转后所述晶片的中心轴线与旋转前所述晶片的中心轴线在同一水平面上，以在最佳的蚀刻区域蚀刻所述晶片，所述预设轴线为与所述晶片的中心轴线平行并与所述晶片中心轴线相距预设距离的轴线，且所述预设距离小于或等于所述晶片的直径。

2.根据权利要求1所述的提高晶片蚀刻均匀性的方法，其特征在于，在所述使所述晶片绕预设轴线旋转步骤中，实时旋转或间隔预设时间旋转所述晶片。

3.根据权利要求1~2任一项所述的提高晶片蚀刻均匀性的方法，其特征在于，在所述利用晶片固定装置将晶片固定的步骤中，所述晶片的蚀刻面相对于蚀刻气体的入射方向倾斜向上。

4.一种提高晶片蚀刻均匀性的装置，包括金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）机台，其特征在于，还包括：

晶片固定装置，用于固定晶片，设在所述金属有机化合物化学气相沉积机台的内部，所述晶片固定装置至少暴露出所述晶片的蚀刻面；

晶片旋转装置，设在所述金属有机化合物化学气相沉积机台的内部，用于驱动所述晶片固定装置或晶片旋转；

控制装置，与所述晶片旋转装置通信连接，所述控制装置根据预设旋转速率和预设旋转时间控制所述晶片旋转装置旋转，所述晶片旋转装置带动所述晶片固定装置和所述晶片绕预设轴线旋转，以使所述晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同，同时使旋转后所述晶片的中心轴线与旋转前所述晶片的中心轴线在同一水平面上，以在最佳的蚀刻区域蚀刻所述晶片，所述预设轴线为与所述晶片的中心轴线平行并与所述晶片中心轴线相距预设距离的轴线，且所述预设距离小于或等于所述晶片的直径。

5.根据权利要求4所述的提高晶片蚀刻均匀性的装置，其特征在于，所述晶片固定装置包括：

承托结构，用于固定所述晶片；

连接件，用于将所述承托结构连接在所述晶片旋转装置或所述金属有机化合物化学气相沉积机台上。

6.根据权利要求4所述的提高晶片蚀刻均匀性的装置，其特征在于，所述晶片旋转装置包括：

旋转结构，用于带动所述晶片固定装置和所述晶片旋转；

驱动结构，与所述旋转结构连接，用于带动所述旋转结构绕预设轴线旋转。

7.根据权利要求5所述的提高晶片蚀刻均匀性的装置，其特征在于，所述承托结构为可吸附所述晶片的真空吸盘；所述连接件为真空管道，与真空发生器连接并向所述真空吸盘提供负压。

8.根据权利要求5所述的提高晶片蚀刻均匀性的装置，其特征在于，所述承托结构为外圆周设有夹爪的支撑板，所述支撑板位于所述蚀刻面的相反侧，所述夹爪用于夹住所述晶片。

9.根据权利要求5所述的提高晶片蚀刻均匀性的装置，其特征在于，所述承托结构为相对设置且间隔预设距离的两个卡板；所述连接件为两个连接板；

两个所述连接板将两个所述卡板连接，并使两个所述卡板之间的最小距离小于或等于所述晶片的直径，以使两个所述卡板卡住所述晶片；

所述晶片的外边缘与两个所述卡板的接触为线接触。

10.根据权利要求9所述的提高晶片蚀刻均匀性的装置，其特征在于，每个所述卡板为齿状结构，且所述卡板上的相邻齿片间距略大于所述晶片的厚度；两个所述卡板上的齿片相对设置且对齐。