[发明专利]一种紫外、可见与红外宽谱光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外、可见与红外宽谱光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

选取清洗完成的玻璃衬底；

在所述玻璃衬底上制备电极阵列，所述电极阵列包括若干间隔排列的金属电极；

将纳米纤维喷在制备有所述电极阵列的所述玻璃衬底上，以制备覆盖所述电极阵列的ZnO纳米线薄膜；其中，将硝酸锌溶于DMF溶液中，得到第一混合溶液；向所述第一混合溶液加入聚乙烯吡咯烷酮，并进行搅拌得到前驱体溶液；吸取所述前驱体溶液，采用静电纺丝工艺将所述纳米纤维喷在制备有电极阵列的所述玻璃衬底上；将所述纳米纤维进行退火处理，以制备覆盖所述电极阵列的ZnO纳米线薄膜，其中退火处理的温度为600℃、退火时间为4h；

将Ge量子点旋涂在所述ZnO纳米线薄膜上，以制备Ge量子点薄膜；其中，制备Ge量子点，包括，利用正硅酸乙酯和乙醇制备第二混合溶液；利用氨水、蒸馏水和乙醇制备第三混合溶液；将所述第三混合溶液加入到所述第二混合溶液进行搅拌制备第四混合溶液；将所述Ge量子点溶解在所述第四混合溶液中并进行超声处理，以制备第五混合溶液，其中，所述Ge量子点溶解在所述第四混合溶液后的溶液浓度为20mg/ml，超声处理的时间为24h；将所述第五混合溶液旋涂在所述ZnO纳米线薄膜上，以制备Ge；制备Ge量子点，还包括：将GeO2和PVP溶解在NaOH溶液中，并进行搅拌以制备第六混合溶液；向所述第六混合溶液中添加HCl溶液以使所述第六混合溶液的PH值在5-1l之间；加热所述第六混合溶液，之后向所述第六混合溶液加入NaBH4冰水溶液并进行加热，以制备第七混合溶液；依次利用去离子水和乙醇对所述第七混合溶进行离心处理，之后依次进行干燥处理和真空退火处理以制备所述Ge量子点；

在所述玻璃衬底的背面制备金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的紫外、可见与红外宽谱光电探测器的制备方法，其特征在于，选取清洗完成的玻璃衬底，包括：

选取所述玻璃衬底；

利用去离子水、乙醇、甲苯依次对所述玻璃衬底进行超声处理，得到清洗完成的所述玻璃衬底。

3.根据权利要求1所述的紫外、可见与红外宽谱光电探测器的制备方法，其特征在于，在所述玻璃衬底上制备电极阵列，包括：

利用蒸镀工艺在所述玻璃衬底上蒸镀电极阵列。

4.根据权利要求1所述的紫外、可见与红外宽谱光电探测器的制备方法，其特征在于，在所述玻璃衬底的背面制备金属薄膜，包括：

采用电子束蒸发工艺在所述玻璃衬底的背面制备所述金属薄膜，所述金属薄膜的材料为Au。

5.一种紫外、可见与红外宽谱光电探测器，其特征在于，利用权利要求1至4任一项所述的紫外、可见与红外宽谱光电探测器的制备方法进行制备，所述紫外、可见与红外宽谱光电探测器包括：

金属薄膜；

玻璃衬底，位于所述金属薄膜之上；

电极阵列，位于所述玻璃衬底之上，所述电极阵列包括若干间隔排列的金属电极；

ZnO纳米线薄膜，位于所述电极阵列和玻璃衬底之上，且所述ZnO纳米线薄膜覆盖所述电极阵列；

Ge量子点薄膜，位于所述ZnO纳米线薄膜之上。

6.根据权利要求5所述的紫外、可见与红外宽谱光电探测器，其特征在于，所述金属薄膜的材料为Au，所述金属电极的材料为Au。