[发明专利]有机发光二极管结构、显示装置

说明书

本发明提出了有机发光二极管结构、显示装置。该有机发光二极管结构中电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层满足HOMOsubgt;host/subgt;‑HOMOsubgt;EBL/subgt;≤0.3eV，LUMOsubgt;host/subgt;＞LUMOsubgt;HBL/subgt;，HOMOsubgt;HBL/subgt;‑HOMOsubgt;host/subgt;≥0.1eV，其中，HOMO为最高占据分子轨道，LUMO为最低未占分子轨道，host指主体材料，EBL指电子阻挡层，HBL指空穴阻挡层。本发明实施例的有机发光二极管结构，其发光层的主体材料和客体材料的能级关系与相邻的电子阻挡层和空穴阻挡层搭配，可使有机发光二极管结构的稳定性更高和出光效率更高，如此，可使有机发光二极管结构的使用寿命更长且功耗更低。

技术领域

本发明涉及发光材料化学设计领域，具体的，本发明涉及有机发光二极管结构、显示装置。

背景技术

近年来，有机电致发光显示器(OLED)作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，OLED成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。并随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率越来越高，功耗要求数值越来越低，所以需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。

但是，红绿蓝(RGB)单色OLED器件寿命容易出现衰减，归根结底在于界面的老化以及材料的缺陷产生造成的材料劣化。第一，界面的老化，是由于界面处的能垒过大而累积过多的电荷，而有机发光(EL)器件中蓝光主体材料(host)需要宽带系，所以其最高占据分子轨道(HOMO)能级很深，会造成空穴型的电子阻挡层(EBL)和host之间的能级差较大，从而能垒的存在造成过多的空穴累积，则界面容易劣化且器件寿命衰减。

第二，OLED器件中，材料最容易劣化的材料为EBL材料。因为EBL材料本身一般都是富电子体系，一般含有苯胺结构。过多的电子会和EBL材料本身上的富电子结构产生排斥力的作用，这种排斥力会造成苯胺上的苯环δ键扭曲(如图1)，出现键的断裂所产生的缺陷就是材料和器件寿命衰减的根源。所以，减少EBL材料上的电子堆积是改善器件稳定性并增加器件寿命的方法，且器件的整体的激子复合区域在EBL/EML界面，因此，EBL材料势必会接收电子的累积，则对发光层(EML)材料的稳定性的考验，就是对器件的稳定性和寿命造成考验。

发明内容

本发明是基于发明人的下列发现而完成的：

本发明的发明人在研究过程中，搭配了发光层的主体材料(host)与客体材料(dophant)之间的能级关系、发光层主客体材料与相邻的电子阻挡层(EBL)和空穴阻挡层(HBL)的能级关系、对主体材料的迁移率限定、以及主客体材料结构的特点，如此，可以增加EML中空穴的数量，减少EBL/EML的界面处电子积累，同时，优化主体材料的稳定性可以使增加发光层的寿命，且优化客体材料的出光效率可以改善发光层的出光效率。

在本发明的第一方面，本发明提出了一种有机发光二极管结构。

根据本发明的实施例，有机发光二极管结构包括层叠设置的阳极、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和阴极，其中，形成所述发光层的材料主体材料和客体材料，且所述电子阻挡层、所述发光层和所述空穴阻挡层满足以下条件：HOMO_host-HOMO_EBL≤0.3eV，LUMO_host＞LUMO_HBL，HOMO_HBL-HOMO_host≥0.1eV，其中，HOMO_host为所述主体材料的最高占据分子轨道，LUMO_host为所述主体材料的最低未占分子轨道，HOMO_EBL为所述电子阻挡层的最高占据分子轨道，HOMO_HBL为所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道，LUMO_HBL为所述空穴阻挡层的最低未占分子轨道。