[发明专利]有机发光二极管结构、显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管结构，其特征在于，包括层叠设置的阳极、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和阴极，其中，形成所述发光层的材料包括主体材料和客体材料，且所述电子阻挡层、所述发光层和所述空穴阻挡层满足以下条件：

HOMO_host-HOMO_EBL≤0.3eV，

LUMO_host＞LUMO_HBL，

HOMO_HBL-HOMO_host≥0.1eV，

其中，HOMO_host为所述主体材料的最高占据分子轨道，LUMO_host为所述主体材料的最低未占分子轨道，HOMO_EBL为所述电子阻挡层的最高占据分子轨道，HOMO_HBL为所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道，LUMO_HBL为所述空穴阻挡层的最低未占分子轨道；

所述发光层进一步满足以下条件：

HOMO_dopant≤HOMO_host，

LUMO_dopant＜LUMO_host，

其中，HOMO_dopant为所述客体材料的最高占据分子轨道，LUMO_dopant为所述客体材料的最低未占分子轨道；

所述主体材料具有结构Ⅰ，所述客体材料具有结构Ⅲ，

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述主体材料的空穴迁移率/电子迁移率≥0.001。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述结构Ⅰ中的取代基Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自任选被取代的成环碳原子数为6～30的芳基或成环原子数为5～20的杂芳基。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述取代基Ar2或Ar3为任选被取代的结构Ⅱ，且所述结构Ⅱ中的取代基X为氧原子，

   

5.根据权利要求3所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述结构Ⅰ中的取代基Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自苯基、萘基、蒽基、菲基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述主体材料选自：

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述客体材料的发射波长为400～500nm。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述结构Ⅲ中的取代基R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢原子，或者，任选被取代的杂原子、氨基、碳数为1～20的烷基、成环碳原子数为6～20的芳基或杂芳基，其中，所述芳基或杂芳基上的取代基包括硅基、氰基、卤素或者氘代。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自甲基、叔丁基、苯并基、二苯胺基、3-甲基二苯胺基、三甲基硅基。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述客体材料选自：

11.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述客体材料的掺杂量为1～10wt％。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～11中任一项所述的有机发光二极管结构。