[发明专利]CMP清洗烘干装置

说明书

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种CMP清洗烘干装置。CMP清洗烘干装置包括：清洗腔，清洗腔包括第一侧壁和倾斜的第二侧壁，沿着第一侧壁形成进片通道，沿着第二侧壁形成出片通道，进片通道和出片通道交汇于清洗腔的底端；烘干腔，烘干腔位于出片通道的上端，烘干腔形成入口和出口，入口与出片通道连通；转动转动接收装置，转动转动接收装置设于进片通道和出片通道交汇处，用于带动晶片从进片通道转向出片通道；去离子水喷淋头，去离子水喷淋头设于进片通道和出片通道上。本申请提供的CMP清洗烘干装置，可以解决相关技术中因去离子水波动产生的阻力造成晶片破片的问题。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种CMP清洗烘干装置。

背景技术

在半导体集成电路制造过程中，通过化学机械研磨(Chemical MechanicalPlanarization，CMP)步骤使得晶片表面平坦化之后，需要进行一系列的清洗步骤，去除在抛光过程中残留在晶片表面的研磨液或微粒等杂质，以保证晶片在后续加工制造过程的质量。

相关技术通常采用的清洗烘干步骤包括：将抛光研磨后的晶片浸入到去离子水中中，在去离子水中移动以清除晶片表面的杂质，最后进入烘干室进行烘干。

然而，随着外部加液等操作会导致去离子水产生波动，去离子水的波动会给浸入到其中的晶片造成阻力，在该阻力的作用下，晶片极易发生破片的情况。

发明内容

本申请提供了一种CMP清洗烘干装置，可以解决相关技术中因去离子水波动产生的阻力造成晶片破片的问题。

本申请提供一种CMP清洗烘干装置，所述CMP清洗烘干装置包括：

清洗腔，所述清洗腔包括第一侧壁和倾斜的第二侧壁，沿着所述第一侧壁形成进片通道，沿着所述第二侧壁形成出片通道，所述进片通道和所述出片通道交汇于所述清洗腔的底端；

烘干腔，所述烘干腔位于所述出片通道的上端，所述烘干腔形成入口和出口，所述入口与所述出片通道连通；

转动接收装置，所述转动接收装置设于所述进片通道和所述出片通道交汇处，用于带动晶片从所述进片通道转向所述出片通道；

去离子水喷淋头，所述去离子水喷淋头设于所述进片通道和出片通道上。

可选地，所述去离子水喷淋头包括：

进片喷淋头，所述进片喷淋头沿着所述进片通道在所述第一侧壁上间隔设置；

出片喷淋头，所述出片喷淋头沿着所述出片通道在所述第二侧壁上间隔设置。

可选地，在所述进片通道的入口处设置一对进片喷淋头，所述一对进片喷淋头能够分别喷淋到晶片的正面和背面。

可选地，所述进片喷淋头朝向进片方向的前方喷射去离子水。

可选地，在所述出片通道的出口处设置一对出片喷淋头，所述一对出片喷淋头能够分别喷淋到晶片的正面和背面。

可选地，所述出片喷淋头朝向出片方向的后方喷射去离子水。

可选地，在所述进片通道和所述出片通道之间，形成一转动空间；

晶片在所述转动接收装置的带动下，以所述转动接收装置为原点，从所述进片通道位置处，转动经过所述转动空间，进入所述出片通道位置处。

可选地，所述转动空间为扇形。