[发明专利]CMP清洗烘干装置在审
| 申请号： | 202010728026.3 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111900109A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李松 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmp 清洗 烘干 装置 | ||
1.一种CMP清洗烘干装置，其特征在于，所述CMP清洗烘干装置包括：
清洗腔，所述清洗腔包括第一侧壁和倾斜的第二侧壁，沿着所述第一侧壁形成进片通道，沿着所述第二侧壁形成出片通道，所述进片通道和所述出片通道交汇于所述清洗腔的底端；
烘干腔，所述烘干腔位于所述出片通道的上端，所述烘干腔形成入口和出口，所述烘干腔的入口与所述出片通道连通；
转动接收装置，所述转动接收装置设于所述进片通道和所述出片通道交汇处，用于带动晶片从所述进片通道转向所述出片通道；
去离子水喷淋头，所述去离子水喷淋头设于所述进片通道和出片通道上。
2.如权利要求1所述的CMP清洗烘干装置，其特征在于，所述去离子水喷淋头包括：
进片喷淋头，所述进片喷淋头沿着所述进片通道在所述第一侧壁上间隔设置；
出片喷淋头，所述出片喷淋头沿着所述出片通道在所述第二侧壁上间隔设置。
3.如权利要求1所述的CMP清洗烘干装置，其特征在于，在所述进片通道的入口处设置一对进片喷淋头，所述一对进片喷淋头能够分别喷淋到晶片的正面和背面。
4.如权利要求2或3所述的CMP清洗烘干装置，其特征在于，所述进片喷淋头朝向进片方向的前方喷射去离子水。
5.如权利要求1所述的CMP清洗烘干装置，其特征在于，在所述出片通道的出口处设置一对出片喷淋头，所述一对出片喷淋头能够分别喷淋到晶片的正面和背面。
6.如权利要求2或5所述的CMP清洗烘干装置，其特征在于，所述出片喷淋头朝向出片方向的后方喷射去离子水。
7.如权利要求1所述的CMP清洗烘干装置，其特征在于，在所述进片通道和所述出片通道之间，形成一转动空间；
晶片在所述转动接收装置的带动下，以所述转动接收装置为原点，从所述进片通道位置处，转动经过所述转动空间，进入所述出片通道位置处。
8.如权利要求7所述的CMP清洗烘干装置，其特征在于，所述转动空间为扇形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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