[发明专利]一种荧光假单孢杆菌发酵培养基、培养方法与应用

权利要求书

1.一种荧光假单孢杆菌发酵培养基，其特征在于，所述发酵培养基中包含钼酸钠及尿素，所述钼酸钠与所述尿素的质量比为(1-5)：(10-30)。

2.根据权利要求1所述的发酵培养基，其特征在于，所述钼酸钠与所述尿素的质量比为(1-3)：(14-16)。

3.根据权利要求1或2所述的发酵培养基，其特征在于，所述钼酸钠的添加量为所述发酵培养基重量的0.01％-0.1％，优选为0.01％-0.05％，更优选为0.02％；

和/或，所述尿素的添加量为所述发酵培养基重量的0.1％-1％，优选为0.1％-0.3％，更优选为0.15％。

4.根据权利要求1-3任一项所述的发酵培养基，其特征在于，以葡萄糖、甘油和大豆油为碳源，还以玉米浆为氮源，且所述的发酵培养基还包括：氯化钠、亮氨酸、碳酸钙和消泡剂。

5.根据权利要求4所述的发酵培养基，其特征在于，以质量百分比计包括：葡萄糖：1.5-2.5％，甘油：0.4-0.6％，氯化钠：0.3-0.5％，玉米浆：0.3-0.5％，亮氨酸0.08-0.12％，碳酸钙：0.25-0.35％，大豆油：0.8-1.2％，泡敌：0.015-0.025％。

6.根据权利要求5所述的发酵培养基，其特征在于，以质量百分比计包括：葡萄糖：2％，甘油：0.5％，氯化钠：0.4％，玉米浆：0.4％，亮氨酸0.1％，碳酸钙：0.3％，大豆油：1％，泡敌：0.02％。

7.一种荧光假单孢杆菌的发酵方法，其特征在于，使用如权利要求1-6任一项所述的发酵培养基进行所述荧光假单孢杆菌的发酵培养。

8.根据权利要求7所述的发酵方法，其特征在于，所述发酵方法为二级发酵；一级发酵时采用种子培养基，二级发酵时采用如权利要求1-6任一项所述的发酵培养基。

9.根据权利要求8所述的发酵方法，其特征在于，所述种子培养基为：葡萄糖：1.5-2.5％，甘油：0.4-0.6％，氯化钠：0.045-0.055％，氯化钾：0.045-0.055％，碳酸钙或碳酸锰：0.3-0.5％，硫酸镁：0.035-0.045％，豆油：0.15-0.25％；

和/或，二级发酵时的培养条件为：温度24-26℃，罐压0.045-0.055Mp，通气量0.5-0.8vvm，搅拌转速为130-250转，溶氧维持在30％以上。

10.权利要求1-6任一项所述的发酵培养基或权利要求7-9任一项所述的发酵方法在荧光假单孢杆菌培养或荧光假单孢杆菌发酵制备莫匹罗星中的应用。