[发明专利]一种TFT工艺制作的光电传感器、制备方法及电子设备在审
| 申请号: | 202010724947.2 | 申请日: | 2020-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN111933737A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 孙云刚 | 申请(专利权)人: | 上海思立微电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/18;H01L27/02;G06K9/00 |
| 代理公司: | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人: | 甘章乖;杨孟娟 |
| 地址: | 201210 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 tft 工艺 制作 光电 传感器 制备 方法 电子设备 | ||
本发明的目的是提供一种TFT工艺制作的光电传感器、制备方法及电子设备。本发明的光电传感器中,每个感光像素单元中的感光二极管的感光区域至少部分覆盖至薄膜晶体管表面,使得感光像素单元中感光区域面积增大,实现了更高填充比例的感光层像素设计。另外,随着薄膜晶体管的制作和材料的发展,薄膜晶体管在达到相同电性功能的前提下,尺寸可以进一步限缩,而使得此种结构的光电传感器能获得更高的感光填充比例,能进一步提高光电传感器的像素密度、分辨率和信噪比等性能。
技术领域
本发明涉及指纹识别技术领域,尤其涉及光学指纹识别领域。
背景技术
指纹识别是一种生物识别方式,尤其在电子设备领域广泛运用。目前,指纹识别中比较常见的为电容指纹识别和光学指纹识别。这两种指纹识别在目前的市场上均已有大量的产品面市。
在光学指纹识别领域中,半导体工艺制作的感光指纹识别芯片配合光学组件所作为的光学指纹识别模组较为常见,也已经在不少电子设备,例如智能手机中得到了较为广泛的应用。
目前光学指纹模组在已知的应用中,仅局限于特定的区域进行指纹识别。而且此特定区域的面积不会很大,可能仅能容纳一个手指的大小。对于大面积的指纹识别,例如,可以放两个或者多个手指;或者不再局限于特定的区域进行指纹识别时,半导体工艺制作的感光指纹识别芯片需要多颗来完成较大区域的指纹识别。因此,在大面积的指纹识别中,采用多颗半导体工艺制作的感光指纹识别芯片会让光学指纹模组的成本大幅度上升,而阻碍其在大面积光学指纹识别的应用。
而利用TFT工艺制作感光识别光电传感器时,较易实现大面积的感光指纹识别传感器的同时,其制作成本也会低于半导体感光指纹识别芯片。
目前TFT工艺制作的光电传感器还在研发过程中,在市面上还未出现大规模的量产产品。且TFT工艺较为常见的是运用于显示面板的制作,用于制作光学指纹识别模组中的光电传感器还是属于业内较新的技术尝试。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种TFT工艺制作的光电传感器、制备方法及电子设备。
根据本发明的一个方面,提供了一种光电传感器,包括多个感光像素单元,每个所述感光像素单元设置在基板上;每个所述感光像素单元均包括:
薄膜晶体管,具有栅极、栅极绝缘层、有源层和位于有源层两侧的源极和漏极;和感光二极管,具有第一电极层、感光区域和第二电极层,所述感光区域设置于第一电极层和第二电极层之间;
其中,所述感光二极管的第一电极层与所述薄膜晶体管的源极漏极电性连接;所述感光二极管的感光区域至少部分覆盖至所述薄膜晶体管表面。
进一步地,上述光电传感器中,所述薄膜晶体管紧贴所述基板制作,所述感光二极管形成于所述薄膜晶体管上方而靠近所述光电传感器表面。
进一步地,上述光电传感器中,所述薄膜晶体管的有源层表面至所述感光像素单元的表面之间介质层为透光材料。
进一步地,上述光电传感器中,所述介质层包括所述感光二极管的第一电极层、感光区域和第二电极层。
进一步地,上述光电传感器中,所述薄膜晶体管的有源层材料为氧化铟镓锌膜。
进一步地,上述光电传感器中,所述薄膜晶体管包括:沟道保护层,设置于所述有源层表面。
进一步地,上述光电传感器中,所述栅绝缘层和所述沟道保护层均包括氧化硅层,且所述氧化硅层均紧贴所述有源层设置。
进一步地,上述光电传感器中,所述感光二极管的第二电极层与所述光电传感器的外围芯片电性连接。
进一步地,上述光电传感器中,所述感光二极管的表面设置有引线层,所述引线层将所述感光二极管的第二电极层与所述外围芯片连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





