[发明专利]一种TFT工艺制作的光电传感器、制备方法及电子设备

权利要求书

1.一种TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，包括多个感光像素单元，每个所述感光像素单元设置在基板上；每个所述感光像素单元均包括：

薄膜晶体管，具有栅极、栅极绝缘层、有源层和位于有源层两侧的源极和漏极；和感光二极管，具有第一电极层、感光区域和第二电极层，所述感光区域设置于第一电极层和第二电极层之间；

其中，所述感光二极管的第一电极层与所述薄膜晶体管的源极/漏极电性连接；所述感光二极管的感光区域至少部分覆盖至所述薄膜晶体管表面。

2.如权利要求1所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管紧贴所述基板制作，所述感光二极管形成于所述薄膜晶体管上方而靠近所述光电传感器表面。

3.如权利要求1所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层表面至所述光电传感器表面之间介质层为透光材料。

4.如权利要求3所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述介质层包括所述感光二极管的第一电极层、感光区域和第二电极层。

5.如权利要求1所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层材料为氧化铟镓锌膜。

6.如权利要求5所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：沟道保护层，设置于所述有源层表面。

7.如权利要求6所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述栅绝缘层和所述沟道保护层均包括氧化硅层，且所述氧化硅层均紧贴所述有源层设置。

8.如权利要求1所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述感光二极管的第二电极层与所述光电传感器的外围芯片电性连接。

9.如权利要求8所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述感光二极管的表面设置有引线层，所述引线层将所述感光二极管的第二电极层与所述外围芯片连通。

10.如权利要求9所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述引线层在所述基板上的投影至少部分覆盖所述薄膜晶体管。

11.如权利要求10所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述引线层表面覆盖有所述光电传感器的绝缘保护层。

12.如权利要求10所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述引线层为透明导电的ITO材料。

13.如权利要求1-12任一所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述基板的材料为玻璃或柔性聚酰亚胺。

14.一种TFT工艺的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述光电传感器为权利要求1至13中任一项所述的光电传感器，所述制作方法包括：

在所述基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极、栅极绝缘层、有源层和位于有源层两侧的源极和漏极；

在形成有所述薄膜晶体管的基板上制作感光二极管，所述感光二极管具有第一电极层、感光区域和第二电极层，所述感光区域设置于第一电极层和第二电极层之间；

形成引线层，将所述感光二极管的一端与所述光电传感器的外围芯片电性连通；以及

形成所述光电传感器表面的保护层；

其中，形成的所述感光二极管在所述基板上的投影至少部分覆盖所述薄膜晶体管。

15.根据权利要求14所述的TFT工艺的光电传感器的制作方法，其特征在于，形成所述感光二极管是在所述薄膜晶体管制作完成之后在所述基板上进行制作。