[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

有源区域，从所述衬底的顶表面突出；

隔离结构，在所述衬底之上并且横向围绕所述有源区域；

第一金属线，在所述隔离结构中；

栅极结构，在所述有源区域之上；

源极/漏极区域，在所述有源区域中；

源极/漏极接触件，在所述有源区域之上并且电连接到所述源极/漏极区域；以及

第二金属线，在所述栅极结构和所述源极/漏极接触件之上，其中，所述第二金属线与所述第一金属线垂直地重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一导电通孔，在所述隔离结构中，其中，所述第一导电通孔与所述第一金属线的顶表面接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一导电通孔的顶表面与所述源极/漏极接触件的底表面接触。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一导电通孔的顶表面与所述栅极结构的底表面接触。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一导电通孔的顶表面与所述隔离结构的顶表面是邻接的。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

层间电介质(ILD)层，位于所述源极/漏极接触件和所述第二金属线之间；

第一导电通孔，在所述隔离结构中，其中，所述第一导电通孔与所述第一金属线的顶表面和所述源极/漏极接触件的底表面接触；以及

第二导电通孔，在所述隔离结构中，其中，所述第二导电通孔与所述源极/漏极接触件的顶表面和所述第二金属线的底表面接触。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，沿着与所述衬底的顶表面垂直的方向，所述第一导电通孔与所述第二导电通孔重叠。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一导电通孔，在所述隔离结构中，其中，所述第一导电通孔与所述第一金属线的顶表面和所述源极/漏极接触件的底表面接触；以及

层间电介质(ILD)层，在所述源极/漏极接触件和所述第二金属线之间，其中，所述ILD层不含与源极/漏极接触件的顶表面和所述第二金属线的底表面接触的导电材料。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一金属线，在所述衬底之上，其中，所述第一金属线的底表面与所述衬底的顶表面间隔开；

第一导电通孔和第二导电通孔，在所述衬底和所述第一金属线之上，其中，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔与所述第一金属线接触；

多个栅极结构，在所述衬底以及所述第一导电通孔和所述第二导电通孔之上；

多个源极/漏极区域，在所述衬底以及所述第一导电通孔和所述第二导电通孔之上，其中，所述源极/漏极区域分别在所述栅极结构中的每一个栅极结构的相反侧；以及

多个源极/漏极接触件，在所述衬底之，其中，所述源极/漏极接触件与所述栅极结构相邻并分别覆盖在所述源极/漏极区域上。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

形成从衬底的顶表面突出的有源区域；

在所述衬底之上并横向围绕所述有源区域形成第一电介质层；

在所述第一电介质层之上形成第一金属线；

在所述衬底之上并覆盖所述第一金属线形成第二电介质层；

对所述第二电介质层进行图案化以在所述第二电介质层中形成开口，其中，所述开口暴露所述第一金属线的顶表面；

在所述开口中形成第一导电通孔；

在所述有源区域之上形成栅极结构；以及

在所述有源区域中的源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件。