[发明专利]化学机械研磨方法

说明书

本发明提供一种化学机械研磨方法，包括：将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。本发明提供的化学机械研磨方法能够在较大的研磨量下保持半导体晶圆表面的均匀性。

技术领域

本发明涉及研磨技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨方法。

背景技术

在拥有高段差的半导体元件上，为实现规定的平坦化工艺，需要对半导体元件进行较大研磨量的研磨。目前作为解决该问题的常用手段，是在研磨的过程中使用具有较高去除效率的研磨浆料。但是，使用较高去除效率的研磨浆料研磨的过程中，容易对半导体元件的边缘形成过度研磨，从而造成半导体元件的成品率下降的问题。

发明内容

本发明提供的化学机械研磨方法，能够在较大的研磨量下保持半导体晶圆表面的均匀性。

第一方面，本发明提供一种化学机械研磨方法，包括：

将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；

将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。

可选地，所述第一次研磨的研磨量为以上。

可选地，所述羊毛毡研磨垫包括研磨垫主体和附着在研磨垫主体表面或内部的磨料。

可选地，所述磨料包括氧化锆(ZrO₃)、二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、二氧化铈(CeO₂)或氮化硅(SiN)中的一种或两种以上的混合物。

可选地，所述磨料的体积占所述羊毛毡研磨垫体积的0.5％～30％。

可选地，所述磨料的粒度为1微米以下。

可选地，进一步包括在所述第一次研磨过程中向所述羊毛毡研磨垫上加入研磨液的步骤，所述研磨液为不具有磨料的研磨液。

可选地，所述羊毛毡研磨垫的邵氏硬度为30～70HD。

本发明提供的化学机械研磨方法，首先用羊毛毡研磨垫对具有高段差的半导体元件进行研磨，具有较高的去除效率，将半导体元件的段差降低，随后再用聚氨酯研磨垫进行研磨，具有较高的研磨精度。采用羊毛毡研磨垫抛光和采用聚氨酯研磨垫相互配合的化学机械研磨方法能够兼具去除效率和研磨精度，提高半导体元件的研磨表面的均匀性，从而提高成品率和可靠性。

附图说明

图1为本发明一实施例化学机械研磨方法的流程图；

图2为本发明一实施例化学机械研磨方法的具体实施过程。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。