[发明专利]一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法

说明书

本发明涉及一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法。所述处理衬底的方法包括：将衬底放置在衬底基座上，将背部热传输气体或吹扫气体供给通过背部气体管路至在衬底的下表面下方的区域，背部气体管路包括在上部气体管路凸缘中的至少一个开口，使得至少一个相应的电气连接件能延伸通过上部气体管路凸缘。所述衬底基座包括：由陶瓷材料形成的台板，其具有构造成在处理期间支承所述衬底的上表面；杆，其由陶瓷材料形成并具有上部杆凸缘以支撑所述台板；由陶瓷材料形成的背部气体管路，其位于所述杆的内部，背部气体管路包括位于台板的下表面与上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，背部气体管路与台板的至少一个背部气体通道流体连通。

本申请是申请号为201610312750.1、申请日为2016年5月12日、发明名称为“包含背部气体输送管路的衬底基座模块及其制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，并且可以发现在可操作以沉积薄膜的等离子体增强化学气相沉积处理装置中的特定用途。

背景技术

半导体衬底处理装置用于通过包括蚀刻、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、脉冲沉积层(PDL)、等离子体增强脉冲沉积层(PEPDL)处理和抗蚀剂去除的技术处理半导体衬底。半导体衬底处理装置的一种类型是包括含有上电极和下电极的反应室的等离子体处理装置，其中在电极之间施加射频(RF)功率，以将工艺气体激发成用于处理反应室中的半导体衬底的等离子体。

发明内容

本发明公开了一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置。所述半导体衬底处理装置包括：真空室，其包括处理区域，半导体衬底能在该处理区域中被处理；工艺气体源，其与所述真空室流体连通以供应工艺气体到所述真空室中；喷头模块，工艺气体从工艺气体源通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以及衬底基座模块。所述衬底基座模块包括：台板，其由陶瓷材料制成，所述台板具有上表面，该上表面被构造成在处理期间将半导体衬底支承在其上；杆，其由陶瓷材料制成，所述杆具有支撑所述台板的上部杆凸缘；和背部气体管路，其由陶瓷材料制成，位于所述杆的内部。所述背部气体管路包括位于所述台板的下表面与所述上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，其中所述背部气体管路与所述台板的至少一个背部气体通道流体连通，并且所述背部气体管路被配置为供给背部气体至在处理期间要支撑在所述台板的上表面上的半导体衬底的下表面下方的区域。

本文还公开了一种半导体衬底处理装置的衬底基座模块。衬底基座模块包括：台板，其具有上表面，该上表面被配置为在处理期间将半导体衬底支承在该上表面上；杆，其具有支撑所述台板的上部杆凸缘和位于所述杆的内部的背部气体管路。所述背部气体管路包括位于所述台板的下表面与所述上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，其中所述背部气体管路与所述台板的至少一个背部气体通道流体连通，并且所述背部气体管路被配置为供给背部气体至在处理期间要支撑在所述台板的上表面上的半导体衬底的下表面下方的区域。

本文还公开了制造半导体衬底处理装置的衬底基座模块的方法。制造所述衬底基座模块的所述方法包括：将上部气体管路凸缘的上陶瓷表面布置成抵靠台板的下陶瓷表面，以及将上部气体管路凸缘的所述上陶瓷表面扩散结合到所述台板的所述下陶瓷表面以形成真空密封。

附图说明

图1根据本发明所公开的实施方式示出了化学沉积装置的示意图。

图2根据本发明所公开的一个实施方式示出了衬底基座模块的横截面。

图3根据本发明所公开的一个实施方式示出了衬底基座模块的横截面。

具体实施方式