[发明专利]一种衬底基座及其制造方法和一种处理衬底的方法

权利要求书

1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：

将衬底放置在衬底基座上，所述衬底基座包括：台板，其由陶瓷材料形成，所述台板具有构造成在处理期间支承所述衬底的上表面；所述衬底基座的杆，其由陶瓷材料形成并具有上部杆凸缘以支撑所述台板；背部气体管路，其由陶瓷材料形成，位于所述杆的内部，所述背部气体管路包括位于所述台板的下表面与所述上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，所述背部气体管路与所述台板的至少一个背部气体通道流体连通，所述背部气体管路被配置为供给背部气体至在处理期间要支撑在所述台板的上表面上的所述衬底的下表面下方的区域；和

将选自包括背部热传输气体和吹扫气体的气体中的至少一种气体供给通过所述背部气体管路至在处理期间支承在所述台板的所述上表面上的所述衬底的下表面下方的区域，所述背部气体管路包括在所述上部气体管路凸缘中的至少一个开口，使得至少一个相应的电气连接件能延伸通过所述上部气体管路凸缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底基座位于真空室内，其中喷头位于所述真空室内且在所述衬底基座上方，所述方法还包括：

通过所述喷头将处理气体供给至所述真空室，所述处理气体由与所述真空室流体连通的处理气体源供给；和

将来自所述喷头的所述处理气体供应到位于所述喷头和位于所述衬底基座上的所述衬底之间的处理区域中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括选自以下沉积处理的至少一种类型的沉积处理，包括：化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、等离子体增强原子层沉积、脉冲沉积层、和等离子体增强的脉冲沉积层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述衬底放置在形成于所述台板的所述上表面上的台面图案上，所述台面图案在所述台面图案的台面与被支撑在所述台面图案上的所述衬底的下表面之间提供气体通道。

5.一种用于制造衬底基座的方法，所述衬底基座包括用于衬底处理装置的陶瓷台板和陶瓷杆，所述方法包括：

将背部气体管路的上部气体管路凸缘的上陶瓷表面布置成抵靠所述陶瓷台板的下陶瓷表面，所述背部气体管路基本形成在所述陶瓷杆内并且包括在所述上部气体管路凸缘中的至少一个开口，使得至少一个相应的电气连接件能延伸通过所述上部气体管路凸缘；和

将所述上部气体管路凸缘的所述上陶瓷表面扩散结合至所述陶瓷台板的所述下陶瓷表面，以形成第一真空密封。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

将所述陶瓷杆的上部杆凸缘的上陶瓷表面布置成抵靠所述背部气体管路的上部凸缘的下陶瓷表面；和

将所述上部杆凸缘的所述上陶瓷表面扩散接合到所述上部气体管路凸缘的所述下陶瓷表面，以形成第二真空密封。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在将所述上部气体管路凸缘的所述上陶瓷表面扩散接合到所述陶瓷台板的所述下陶瓷表面之后，将所述上部杆凸缘的所述上陶瓷表面扩散接合到所述上部气体管路凸缘的所述下陶瓷表面。

8.根据权利要求6所述的方法，其中在将所述上部气体管路凸缘的所述上陶瓷表面扩散接合到所述陶瓷台板的所述下陶瓷表面时，将所述上部杆凸缘的所述上陶瓷表面扩散接合到所述上部气体管路凸缘的所述下陶瓷表面。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述上部气体管路凸缘的上表面与所述陶瓷台板的下表面之间的接触面积大致等于所述上部气体管路凸缘的下表面与所述上部杆凸缘的所述上表面之间的接触面积。

10.根据权利要求5所述的方法，其中在所述上部气体管路凸缘的上表面与所述陶瓷台板的下表面之间没有间隙。

11.根据权利要求5所述的方法，其中在所述上部气体管路凸缘的一部分与所述陶瓷台板的下表面之间形成间隙。