[发明专利]衬底加工装置和方法

说明书

公开了一种用以产生牺牲掩蔽层的衬底加工方法和装置。该层通过在反应腔室中提供选择为与衬底上的辐射改性和未改性的层部分中之一反应而不与辐射改性和未改性的层部分中之另一反应的第一前体以选择性地生长所述牺牲掩蔽层来产生。

技术领域

本公开总的涉及一种衬底加工装置和产生牺牲掩蔽层的方法。

用以在衬底上产生牺牲掩蔽层的衬底加工装置可包括光刻输入/输出端口以在衬底加工装置与光刻投影装置之间转移衬底。

用以产生牺牲掩蔽层的衬底加工方法可包括：

向光刻投影装置提供具有可辐射改性层的衬底以便图案化，和

用光刻投影装置的暴露辐射改性暴露于辐射之处的可辐射改性层来图案化衬底的可辐射改性层。

背景技术

可在衬底上的抗蚀剂层中形成图案之前和/或之后使用衬底加工装置(如轨道或涂覆机)在衬底上进行不同的工艺步骤。例如，如果衬底上存在污染物，则可通过化学处理来去除。可将衬底加热到足以驱除衬底上可能存在的任何湿气的温度。可施加粘附促进剂以促进抗蚀剂在衬底上的粘附。

在衬底加工装置的抗蚀剂沉积设备中，衬底可例如通过旋涂抗蚀剂而被覆盖以抗蚀剂层。可向衬底上分配抗蚀剂的粘性液体溶液，并可旋转衬底以产生均匀的薄层。然后可烘烤抗蚀剂涂覆晶片以蒸发抗蚀剂溶剂。

具有抗蚀剂层的衬底可从衬底加工装置转移到光刻投影装置。在光刻投影装置中，可将具有抗蚀剂层的衬底暴露于(极)紫外辐射的图案化辐射光束。暴露于辐射会在抗蚀剂层中导致化学变化，从而图案化该层。

对于EUV光刻，抗蚀剂层可能非常薄。这样的薄层可能不是非常耐蚀刻的。

发明内容

提供此概述是为了以简化的形式引入一系列概念。下文在本公开的实例实施例的详细描述中更详细地描述这些概念。本概述并非旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也并非旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

在一些实施例中，可提供用以在衬底上产生牺牲掩蔽层的衬底加工装置。衬底加工装置可包括光刻输入/输出端口以在衬底加工装置与光刻投影装置之间转移衬底。衬底加工装置可提供有选择性沉积设备以在反应腔室中提供选择为与辐射改性和未改性的层部分中之一反应而不与辐射改性和未改性的层部分中之另一反应的第一前体以产生牺牲掩蔽层。所述装置可包括衬底装卸器以在光刻输入/输出端口和选择性沉积设备之间转移衬底。所述装置可包括可操作地连接到衬底装卸器和选择性沉积设备的控制系统。控制系统可提供有存储器，所述存储器提供有当在控制系统上执行时控制以下的程序：控制衬底装卸器以从光刻输入/输出端口拾取衬底并将其移动到选择性沉积设备；和控制选择性沉积设备以在反应腔室中提供选择为与辐射改性和未改性的层部分中之一反应而不与辐射改性和未改性的层部分中之另一反应的第一前体以产生牺牲掩蔽层。

在一些实施例中，公开了一种用以产生牺牲掩蔽层的衬底加工方法。衬底加工方法可包括向光刻投影装置提供具有可辐射改性层的衬底以便图案化。衬底加工方法可还包括用光刻投影装置的暴露辐射改性暴露于辐射之处的可辐射改性层来图案化衬底的可辐射改性层。可将衬底从光刻投影装置移动到选择性沉积设备的反应腔室。可在反应腔室中提供选择为与改性和未改性的层部分中之一反应而不与改性和未改性的层部分中之另一反应的第一前体以产生牺牲掩蔽层。

出于概述本发明和所实现的优于现有技术的优势的目的，在本文上述内容中描述了本发明的某些目标和优势。当然，应理解，未必所有此类目标或优势都可根据本发明的任一特定实施例实现。因此，举例来说，所属领域的技术人员将认识到，本发明可按实现或优化本文中教示或表明的一个优势或一组优势的方式体现或实行，而未必实现本文中可能教示或表明的其它目标或优势。