[发明专利]衬底加工装置和方法

权利要求书

1.一种用以在衬底上产生牺牲掩蔽层的衬底加工装置，所述装置包括：

光刻输入/输出端口，所述光刻输入/输出端口用以在所述衬底加工装置与光刻投影装置之间转移衬底；

选择性沉积设备，所述选择性沉积设备用以在反应腔室中提供选择为与辐射改性和未改性的层部分中之一反应而不与辐射改性和未改性的层部分中之另一反应的第一前体以产生所述掩蔽层；

衬底装卸器，所述衬底装卸器用以在所述光刻输入/输出端口和所述选择性沉积设备之间转移衬底；和，

控制系统，所述控制系统可操作地连接到所述衬底装卸器和所述选择性沉积设备并提供有存储器，所述存储器提供有当在所述控制系统上执行时进行以下的程序：

控制所述衬底装卸器以经由所述光刻输入/输出端口拾取所述衬底并将其移动到所述选择性沉积设备；和

控制所述选择性沉积设备以在所述反应腔室中提供选择为与所述辐射改性和未改性的层部分中之一反应而不与所述辐射改性和未改性的层部分中之另一反应的所述第一前体以产生所述牺牲掩蔽层。

2.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述存储器提供有程序，当在所述控制系统上执行时所述程序启用所述前体分配和去除系统以在向所述反应腔室提供所述第一前体之后从所述反应腔室去除所述第一前体的一部分。

3.根据权利要求2所述的衬底加工装置，其中所述前体分配和去除系统包括一个或多个反应腔室阀以向所述反应腔室提供气态第二前体和自所述反应腔室去除气态第二前体，并且存储在所述存储器中的选择性沉积工艺还包括启用所述前体分配和去除系统，以在所述反应腔室中提供所述第二前体以在所述反应腔室中与所述改性和未改性的层部分中之一反应而不与所述改性和未改性的层部分中之另一反应以产生所述牺牲掩蔽层。

4.根据权利要求3所述的衬底加工装置，其中存储在所述存储器中的所述选择性沉积方法还包括启用所述前体分配和去除系统以从所述反应腔室去除所述第二前体的一部分。

5.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述选择性沉积设备构造和布置为选择性地在所述辐射改性和未改性的层部分中之一上沉积金属。

6.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述选择性沉积设备的所述前体分配和去除系统构造和布置为在所述反应腔室中提供金属卤化物。

7.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述衬底加工装置提供有可改性层沉积设备以在衬底上沉积可辐射改性层。

8.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述选择性沉积设备的所述前体分配和去除系统构造和布置为在所述反应腔室中提供包含金属的前体，所述金属选自铝(Al)、铪(Hf)、镓(Ga)、锗(Ge)、锆(Zr)、铟(In)、锂(Li)、碲(Te)、锑(Sb)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和锡(Sn)。

9.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述选择性沉积设备的所述前体分配和去除系统构造和布置为在所述反应腔室中提供包含氧化剂的前体。

10.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述选择性沉积设备的所述前体分配和去除系统构造和布置为在所述反应腔室中提供包含硅的前体。

11.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述选择性沉积设备构造和布置为将所述反应腔室的温度控制到20至450℃之间的值。

12.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中所述选择性沉积设备构造和布置为将所述反应腔室中的压力控制到0.001至1000、优选地0.1至500、最优选1至100托之间的值。

13.根据权利要求1所述的衬底加工装置，其中可辐射改性层沉积设备包括用以旋转所述衬底的可旋转衬底台和用以向所述衬底的表面提供液体的液体分配器。