[发明专利]光刻胶烘烤设备及其自动清洁方法在审

专利信息
申请号: 202010702044.4 申请日: 2020-07-21
公开(公告)号: CN112015051A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;刘强;刘金彪;丁明正 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16;G03F7/20
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 何家鹏
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 光刻 烘烤 设备 及其 自动 清洁 方法
【说明书】:

发明公开了一种光刻胶烘烤设备及其自动清洁方法,涉及半导体制造技术领域,该光刻胶烘烤设备包括腔室、供气机构和排气机构,腔室用于放置和加热涂有光刻胶的衬底基板;供气机构包括气泵和供气管路,供气管路连通气泵与腔室,气泵用于向腔室供给气体;排气机构包括与腔室连通的排气管路和安装在排气管路上的喷射真空泵,喷射真空泵用于将气体和污染物颗粒抽取并排出;本发明公开的光刻胶烘烤设备通过供气机构实现了对腔室内污染物颗粒的剥离清理,通过排气机构实现了对污染物颗粒的排出,提高了清洁效率,避免了污染物颗粒对腔室造成污染,避免了污染物颗粒滴落到衬底基板上后可能导致的光刻胶球形缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种光刻胶烘烤设备及其自动清洁方法。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本发明相关的背景信息,其并不必然是现有技术。

在半导体制造中,光刻工艺通常包括准备衬底基板、衬底基板预处理、涂抹光刻胶、软烘、曝光、显影、硬烘、刻蚀等工序,其中软烘是通过高温烘烤对光刻胶进行定型,使光刻胶中的溶剂成分挥发,从而减小光刻胶的薄膜应力,以及增强光刻胶在衬底基板上的附着性。

软烘过程中,衬底基板在腔室内被加温,衬底基板表面的光刻胶或者抗反射层表面受热后挥发出高温有机物,高温有机物无法及时完全排出腔室,容易在腔室的顶部和侧壁上形成污染物颗粒,污染物颗粒不仅对腔室造成污染,而且当污染物颗粒滴落到衬底基板上后,会导致衬底基板上的光刻胶出现球形缺陷,影响半导体器件的良率。

因此需要对污染物颗粒进行及时清理,而现有技术通常是在对设备进行定期保养时,通过将设备部分拆除,对污染物颗粒进行手动清理,这样的清理方式清理效率低。

发明内容

本发明的第一方面提出了一种光刻胶烘烤设备,所述光刻胶烘烤设备包括:

腔室,所述腔室用于放置和加热涂有光刻胶的衬底基板;

供气机构,所述供气机构包括气泵和供气管路,所述供气管路连通所述气泵与所述腔室,所述气泵用于向所述腔室供给气体;

排气机构,所述排气机构包括与所述腔室连通的排气管路和安装在所述排气管路上的喷射真空泵,所述喷射真空泵用于将所述气体和污染物颗粒抽取并排出。

本发明的第二方面提出了一种光刻胶烘烤设备的自动清洁方法,该光刻胶烘烤设备的自动清洁方法通过如上所述的光刻胶烘烤设备来实施,所述光刻胶烘烤设备的自动清洁方法包括:

开启气泵和喷射真空泵,所述气泵向腔室供给气体,所述喷射真空泵抽取并排出所述气体和污染物颗粒;

检测污染物颗粒含量;

在污染物颗粒含量低于预设值时,关闭喷射真空泵和气泵。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制;而且在整个附图中,用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中:

图1示意性地示出了根据本发明实施方式的光刻胶烘烤设备的结构示意图;

图2为图1中所示光刻胶烘烤设备处于第一状态的结构示意图(三通阀的进气端与第一出气端连通时的状态);

图3为图1中所示光刻胶烘烤设备处于第二状态的结构示意图(三通阀的进气端与第二出气端连通时的状态);

图4示意性地示出了根据本发明实施方式的光刻胶烘烤设备的自动清洁方法的流程图。

附图标记如下:

10、腔室;11、载台;12、进气口;13、出气口;

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