[发明专利]芯片封装结构及其制备方法、具有芯片封装结构的设备在审

专利信息
申请号: 202010700920.X 申请日: 2020-07-20
公开(公告)号: CN111896129A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 田雨洪 申请(专利权)人: 南昌欧菲显示科技有限公司
主分类号: G01K1/14 分类号: G01K1/14;G01K7/02;G01K1/08;G01K13/00;G01K7/12;H01L23/04;H01L23/10;H01L21/52
代理公司: 广州德科知识产权代理有限公司 44381 代理人: 万振雄;陈晓妍
地址: 330000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 具有 设备
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:

基板;

芯片,所述芯片固定在所述基板上,且所述芯片与所述基板电连接;

热电偶丝,所述热电偶丝固定在所述芯片远离所述基板的一面上,所述热电偶丝包括第一热电极和第二热电极,所述第一热电极的第一端与所述第二热电极的第一端电连接,所述第一热电极的第二端、所述第二热电极的第二端分别与所述芯片电连接;在工作状态下,所述第一热电极的第二端与所述第二热电极的第二端之间通过所述芯片电连接,以使所述第一热电极与所述第二热电极之间形成回路;其中,所述第一热电极和所述第二热电极分别采用不同材料的导体和/或半导体,用于使所述第一热电极和所述第二热电极之间形成热电动势差;

塑封外壳,所述塑封外壳固定在所述基板上,且所述芯片和所述热电偶丝封装在所述塑封外壳的内部。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一热电极和所述第二热电极分别为铜和铜镍、铁和铜镍、镍铬和铜镍、镍铬和镍硅、镍铬硅和镍硅、铂铑10和铂、铂铑13和铂、或者铂铑30和铂铑6

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一热电极与所述第二热电极中的一者采用铜丝、另一者采用铜镍合金丝,其中采用的所述铜丝的直径为25μm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一热电极与所述第二热电极的电连接端为热端,所述第一热电极与所述芯片的电连接端、所述第二热电极与所述芯片的电连接端均为冷端。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一热电极的第一端与所述第二热电极的第一端通过激光焊接电连接。

6.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,在所述热端外部设置有导热层,至少部分所述导热层封装在所述塑封外壳内部。

7.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一热电极的第二端、所述第二热电极的第二端分别与所述芯片通过焊接工艺电连接,所述焊接工艺为超声波焊接、热压焊接或热超声焊接。

8.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封外壳为隔热外壳。

9.根据权利要求8所述的芯片封装结构,其特征在于,在对应于所述热端位置处的所述塑封外壳具有凸出部,所述凸出部的外表面靠近或者接触待检测对象。

10.根据权利要求1至3任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构中设有至少两对串联设置的所述热电偶丝,至少两对所述热电偶丝组成热电偶堆。

11.根据权利要求1至10任一项所述的芯片封装结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

提供所述基板、所述芯片、所述第一热电极和所述第二热电极;

将所述芯片固定在所述基板上,通过焊接使所述芯片与所述基板电连接;

通过焊接使所述第一热电极的第一端和所述第二热电极的第一端电连接,通过焊接使所述第一热电极的第二端与所述芯片远离所述基板的一面电连接、通过焊接使所述第二热电极的第二端与所述芯片远离所述基板的一面电连接,使所述第一热电极和所述第二热电极形成所述热电偶丝;

使用塑封材料对所述基板、所述芯片、所述热电偶丝进行塑封,形成固定在所述基板上的塑封壳体,且所述塑封壳体内部封装有所述芯片和所述热电偶丝,得到所述芯片封装结构。

12.一种具有芯片封装结构的设备,其特征在于,包括设备壳体,以及安装在所述设备壳体中的芯片封装结构,所述芯片封装结构为如权利要求1至10任一项所述的芯片封装结构。

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