[发明专利]一种晶圆双面金属工艺

说明书

本发明公开了一种晶圆双面金属工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆双面金属工艺，包括以下步骤：通过研磨或蚀刻晶圆的一端面，使得所述晶圆呈中央薄且边缘厚；对所述晶圆的另一端面进行金属镀膜；对所述晶圆的一端面涂布聚酰亚胺，并加热，使所述聚酰亚胺硬化，形成聚酰亚胺涂层；在所述晶圆的另一端面依次进行光阻涂布、曝光与显影；去除涂布在所述晶圆的另一端面的光阻，以及所述聚酰亚胺涂层，清洗所述晶圆；对所述晶圆的一端面进行金属镀膜；将所述晶圆固定在切割模框上，使用含氟电浆或雷射进行切割。

技术领域

本发明涉及晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆双面金属工艺。

背景技术

在现有的高阶功率半导体的晶圆工艺中，需要先完成正面的金属工艺，包括图案、线路布置与金属垫等工艺。在正面键合玻璃载板后，进行减薄与离子注入工艺。由于键合玻璃载板的键合剂不耐高温，若将晶圆键合在玻璃载板上，使用炉管设备进行退火工艺，则会导致键合剂失效。玻璃载板与晶圆脱落。另一方面，晶圆镀上铜或铝后，不得承受超过600℃以上的高温。因此，现有技术中，为了能够搭载玻璃载板进行键合，不得不使用造价昂贵、生产效率较低的镭射设备进行加热。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出了一种晶圆双面金属工艺。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种晶圆双面金属工艺，包括以下步骤：

S1：通过研磨或蚀刻晶圆的一端面，使得所述晶圆呈中央薄且边缘厚；

S2：对所述晶圆的另一端面进行金属镀膜；

S3：对所述晶圆的一端面涂布聚酰亚胺，并加热，使所述聚酰亚胺硬化，形成聚酰亚胺涂层；

S4：在所述晶圆的另一端面依次进行光阻涂布、曝光与显影；

S5：去除涂布在所述晶圆的另一端面的光阻，以及所述聚酰亚胺涂层，清洗所述晶圆；

S6：对所述晶圆的一端面进行金属镀膜；

S7：将所述晶圆固定在切割模框上，使用含氟电浆或雷射进行切割。

进一步地，所述聚酰亚胺涂层的厚度为20～50微米。

进一步地，所述金属镀层的材质为铜或铝。

进一步地，在所述步骤S5中，使用氧电浆去除所述光阻或所述聚酰亚胺涂层。

进一步地，在所述步骤S2中，将聚酰亚胺加热至250～300℃，以实现聚酰亚胺的硬化。

本发明的有益效果：

与现有的双面电镀工艺相比，本发明的电镀工艺通过加工形成中央薄、边缘厚的晶圆，使得晶圆不需要搭载玻璃载板，更便于夹持与转运。另一方面，在晶圆上涂布聚酰亚胺涂层，而后加热硬化，能够支撑晶圆，并且通过涂布聚酰亚胺涂层，适用于具有高速旋转涂布以及大盈利变化的工艺中。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1为本申请的金属工艺的晶圆剖视结构示意图；

图2为本申请的中经过离子注入后的晶圆剖视结构示意图；

图3为本申请的中经过退火后的晶圆剖视结构示意图；

图4为本申请的中形成正面金属层后的晶圆剖视结构示意图；

图5为本申请的金属工艺的S3步骤后的晶圆剖视结构示意图；

图6为本申请的金属工艺的S5步骤后的晶圆剖视结构示意图；

图7为本申请的金属工艺的S6步骤后的晶圆剖视结构示意图；