[发明专利]一种太阳能电池的切割方法及电池片有效
申请号: | 202010697814.0 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN111916529B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 徐琛 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 付珍;王胜利 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 切割 方法 电池 | ||
1.一种太阳能电池的切割方法,其特征在于,包括:
提供一硅片,所述硅片具有有效区域和无效区域,所述硅片开设有至少位于所述有效区域的导向槽;
在所述有效区域内的导向槽形成之后,利用所述硅片的有效区域制作太阳能电池片;
在制作所述太阳能电池片之后,在所述硅片的无效区域内开设与所述导向槽连通的切割槽,所述切割槽与所述导向槽构成贯穿所述硅片的线性裂片通道;
采用裂片工艺沿着所述线性裂片通道对所述太阳能电池片进行裂片,所述裂片工艺的裂片温度低于所述太阳能电池片的耐受温度;
所述导向槽包括第一槽体和开设在所述第一槽体的底部的第二槽体,所述第二槽体的数量为多个,多个所述第二槽体间隔的分布在所述第一槽体的底部;
以所述硅片的表面为基准,所述第一槽体的深度为所述硅片厚度的11%~56%,所述第二槽体的深度为所述硅片厚度的16%~88%。
2.根据权利要求1所述太阳能电池的切割方法,其特征在于,所述切割槽的深度大于或等于所述导向槽的深度。
3.根据权利要求1所述太阳能电池的切割方法,其特征在于,所述硅片具有相对的第一面和第二面;
所述第一面或所述第二面开设所述导向槽和所述切割槽;或,
所述第一面和所述第二面均开设所述导向槽和所述切割槽;所述导向槽的深度小于硅片厚度的二分之一。
4.根据权利要求1~3任一项所述太阳能电池的切割方法,其特征在于,以所述硅片的表面为基准,所述切割槽的深度为所述硅片厚度的38%~100%。
5.根据权利要求1~3任一项所述太阳能电池的切割方法,其特征在于,
所述裂片工艺为机械裂片工艺、超声波共振裂片工艺、热胀冷缩裂片工艺中的一种或多种;和/或,
提供一硅片包括:采用激光切割、金刚石切割、线切割中的一种或多种方式在所述硅片上开设导向槽。
6.一种电池片,其特征在于,所述电池片采用权利要求1~5任一项所述太阳能电池的切割方法获得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于隆基绿能科技股份有限公司,未经隆基绿能科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010697814.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的