[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一堆叠结构，包括在基底上交替地堆叠的多个第一绝缘图案和多个第一半导体图案，第一堆叠结构在平行于基底的上表面的第一方向上延伸；第一导电图案，位于第一堆叠结构的一个侧表面上，第一导电图案在与基底的上表面交叉的第二方向上延伸；以及第一铁电层，位于第一堆叠结构与第一导电图案之间，第一铁电层在第二方向上延伸，其中，第一半导体图案中的每个包括沿着第一方向顺序地布置的第一杂质区、第一沟道区和第二杂质区。

本申请要求于2019年7月31日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0092960号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括铁电体的半导体装置。

背景技术

为了满足消费者对优异性能和廉价价格的需求，需要半导体装置的更高集成度。在二维或平面半导体装置的情况下，由于它们的集成度主要由单位单元所占据的面积决定，所以集成度受到精细图案形成技术水平的极大影响。

然而，近来，随着半导体装置的设计规则迅速减小，由于用于形成实现半导体装置所需的图案的工艺的分辨率限制，所以在形成精细图案方面存在限制。因此，已经提出了其中单元被三维布置的三维半导体装置。

发明内容

至少一个实施例涉及通过实施三维布置的铁电场效应晶体管而具有改进的性能和集成度的一种半导体装置。

然而，示例实施例不限于在这里阐述的示例实施例。通过参照下面给出的详细描述，示例实施例的以上和其它方面对于本领域普通技术人员而言将变得更加清楚。

根据本发明构思的一个方面，提供了半导体装置的一个示例实施例，所述半导体装置包括：第一堆叠结构，包括在基底上交替地堆叠的多个第一绝缘图案和多个第一半导体图案，第一堆叠结构在第一方向上延伸，所述多个第一半导体图案中的每个包括沿着第一方向按顺序布置的第一杂质区、第一沟道区和第二杂质区，第一方向平行于基底的上表面；第一导电图案，位于第一堆叠结构的第一侧表面上，第一导电图案在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面交叉；以及第一铁电层，位于第一堆叠结构与第一导电图案之间，第一铁电层在第二方向上延伸。

根据本发明构思的一个方面，提供了半导体装置的一个示例实施例，所述半导体装置包括：第一半导体图案，位于基底上，第一半导体图案包括在第一方向上顺序地布置的第一杂质区、第一沟道区和第二杂质区，第一方向平行于基底的上表面；第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极位于第一沟道区的第一侧表面上并且第二栅电极位于第一沟道区的第二侧表面上，第一栅电极和第二栅电极分别在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面交叉；第一铁电层，位于第一沟道区与第一栅电极之间，第一铁电层在第二方向上延伸；以及第二铁电层，位于第一沟道区与第二栅电极之间，第二铁电层在第二方向上延伸。

根据本发明构思的一个方面，提供了半导体装置的一个示例实施例，所述半导体装置包括：第一堆叠结构，包括在基底上交替地堆叠的多个第一绝缘图案和多个第一半导体图案，第一堆叠结构在第一方向上延伸，所述多个第一半导体图案中的每个包括沿着第一方向顺序地布置的第一杂质区、沟道区和第二杂质区，第一方向平行于基底的上表面；多个第一布线图案，分别连接到所述多个第一半导体图案的第一端，所述多个第一布线图案在平行于基底的上表面并且与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二布线图案，连接到所述多个第一半导体图案的第二端；第一栅电极，位于所述多个第一布线图案与第二布线图案之间的第一堆叠结构的第一侧表面上，第一栅电极在与基底的上表面交叉的第三方向上延伸；以及第一铁电层，位于第一堆叠结构与第一栅电极之间，第一铁电层沿着所述多个第一半导体图案的沟道区的第一侧表面在第三方向上延伸。

附图说明

通过参照附图详细地描述本公开的示例实施例，本公开的以上和其它方面及特征将变得更明显，在附图中：