[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一堆叠结构，包括在基底上交替地堆叠的多个第一绝缘图案和多个第一半导体图案，第一堆叠结构在第一方向上延伸，所述多个第一半导体图案中的每个包括沿着第一方向按顺序布置的第一杂质区、第一沟道区和第二杂质区，第一方向平行于基底的上表面；

第一导电图案，位于第一堆叠结构的第一侧表面上，第一导电图案在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面交叉；以及

第一铁电层，位于第一堆叠结构与第一导电图案之间，第一铁电层在第二方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一铁电层沿着所述多个第一半导体图案的第一沟道区的第一侧表面延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一导电图案在第一方向上的宽度与第一铁电层在第一方向上的宽度彼此相等。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第一堆叠结构的第二侧表面上的第二导电图案，第二导电图案在第二方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第一堆叠结构与第二导电图案之间的第二铁电层，第二铁电层在第二方向上延伸。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第二导电图案与所述多个第一半导体图案的第一沟道区接触。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第一堆叠结构与第一铁电层之间的栅极介电层，

栅极介电层在第二方向上延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第一布线结构，包括在基底上交替地堆叠的多个第二绝缘图案和多个第一布线图案，第一布线结构在平行于基底的上表面并且与第一方向交叉的第三方向上延伸，

其中，所述多个第一布线图案中的每个连接到所述多个第一半导体图案中的每个的第一杂质区。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，所述半导体装置还包括连接到所述多个第一半导体图案的第二杂质区的电容器结构。

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一半导体图案，位于基底上，第一半导体图案包括在第一方向上顺序地布置的第一杂质区、第一沟道区和第二杂质区，第一方向平行于基底的上表面；

第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极位于第一沟道区的第一侧表面上并且第二栅电极位于第一沟道区的第二侧表面上，第一栅电极和第二栅电极在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面交叉；

第一铁电层，位于第一沟道区与第一栅电极之间，第一铁电层在第二方向上延伸；以及

第二铁电层，位于第一沟道区与第二栅电极之间，第二铁电层在第二方向上延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，第一栅电极被构造为被施加第一栅极电压，并且第二栅电极被构造为被施加与第一栅极电极不同的第二栅极电压。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，第一铁电层包括第一铁电材料，并且第二铁电层包括与第一铁电材料不同的第二铁电材料。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，第一铁电层具有第一厚度，并且第二铁电层具有与第一厚度不同的第二厚度。