[发明专利]一种抛光装置及抛光组件

说明书

本发明提供了一种抛光装置及抛光组件，该抛光装置用于抛光晶圆，该抛光装置包括能够旋转的转盘、设置在转盘上且具有抛光表面的抛光垫，在抛光垫的上方设置有用于向抛光表面喷洒抛光液的喷头。抛光表面划分为多个抛光区，且每个抛光区上设置有用于将该抛光区的抛光液排出的排液孔。还包括控制每个排液孔是否排出抛光液的控制阀门。通过将抛光表面划分为多个抛光区，在每个区上设置排液孔，还设置控制每个排液孔是否排出抛光液的控制阀门，以便于控制晶圆的不同位置处的抛光液的量。在应用时，晶圆上抛光量已经较大的区域，可以相应排出一些该区域所对应的抛光区上的抛光液的量，从而防止晶圆被过度抛光，以控制晶圆上成膜图形的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种抛光装置及抛光组件。

背景技术

随着半导体器件(Device)的逐步精细化,采用CMP(Chemical MechanicalPolishing，化学机械抛光)工艺对晶圆(wafer)表面进行抛光的工序正在增加，其可以减小晶圆上成膜图形边缘处的高度差。因此，在CMP工艺中，晶圆上成膜图形的厚度散布变得更加重要。CMP工艺后由于所存在的氧化残渣(Oxide Residue)、由钨或铜构成的互连结构不良、及CMP后续工序等问题会影响晶圆上成膜图形的均匀性,从而会出现接触不良(ContactNot open)、晶圆边缘处过度抛光等缺陷。

发明内容

本发明提供了一种抛光装置及抛光组件，用以提高晶圆表面成膜图形的均匀性，提高良率。

第一方面，本发明提供了一种抛光装置，该抛光装置用于抛光晶圆，该抛光装置包括能够旋转的转盘、以及设置在转盘上且具有抛光表面的抛光垫，在抛光垫的上方设置有用于向抛光表面喷洒抛光液的喷头。其中，抛光表面划分为多个抛光区，且每个抛光区上设置有用于将该抛光区的抛光液排出的排液孔。该抛光装置还包括控制每个排液孔是否排出抛光液的控制阀门。

在上述的方案中，通过将抛光表面划分为多个抛光区，且在每个区上设置用于将抛光区的抛光液排出的排液孔，还设置控制每个排液孔是否排出抛光液的控制阀门，以便于控制晶圆的不同位置处的抛光液的量。在应用时，晶圆上抛光量已经较大的区域，可以相应排出一些该区域所对应的抛光区上的抛光液的量，从而防止晶圆被过度抛光，以控制晶圆上成膜图形的均匀性。

在一个具体的实施方式中，多个抛光区环绕转盘的中心由内向外呈同心圆分布。其中，多个抛光区中位于最内侧的抛光区为圆形区域，且相邻的两个同心圆之间的区域为一个抛光区。通过采用多个抛光区呈同心圆的分布方式，在转盘转动时，每个抛光区接触晶圆上的同一区域，从而便于控制晶圆上成膜图形的均匀性。

在一个具体的实施方式中，多个抛光区中位于最内侧的抛光区上排液孔的个数为一个，且该排液孔设置在转盘的中心位置。

在一个具体的实施方式中，多个抛光区中除最内侧的抛光区外的每个抛光区上的排液孔的个数均为至少两个，以便于使每个抛光区上的抛光液排出抛光区。

在一个具体的实施方式中，上述至少两个排液孔环绕转盘的中心均匀分布，以便于使每个抛光区上的抛光区较为均匀的排出抛光区。

在一个具体的实施方式中，多个抛光区中除最内侧的抛光区外的每个抛光区上排液孔的个数均相等，以便于在抛光垫上设置排液孔。

在一个具体的实施方式中，该抛光装置还包括设置在转盘上且位于抛光垫下方的多个排液管，多个排液管与多个抛光区一一对应；且每个排液管与该排液管对应的抛光区上的排液孔连通。控制阀门设置在每个抛光区对应的排液管上。以便于引流从抛光区排出的抛光液。

在一个具体的实施方式中，控制阀门控制抛光液的流量为0mL/min～300mL/min，以根据晶圆不同位置的抛光情况，对每个抛光区的抛光液的流量进行控制，从而改善晶圆上成膜图像的均匀性。