[发明专利]一种超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺

权利要求书

1.一种超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在晶圆完成正面金属垫片PAD及铜种子层镀膜，将晶圆正面键合环状边缘的玻璃载板结构，通过研磨及蚀刻对晶圆背面进行减薄；

S2、完成背面黄光、离子植入、除光阻及激光退火工程后，除去薄氧化层，镀上背面金属层；

S3、涂布聚酰亚胺Polyimide厚膜,按切割道图形曝光、显影后形成网格状PI应力缓冲及支撑结构；

S4、翻转至正面用HF蚀刻去除玻璃载板中间较薄的部份，再使用O₂电浆蚀刻去除中间部份的黏着层，正面制作黄光、涂布、曝光、显影形成电镀铜的开口图案；

S5、采用ECP工艺进行双面电镀Cu厚膜；

S6、去除正面光阻及背面PI膜后，蚀刻去除厚膜铜区之外的金属层；

S7、将晶圆背面放置在UV切割膜框上，用SF₆电浆或其他含F电浆蚀刻掉切割道区域的Si，得到晶粒的附着于UV切割膜框上；

S8、切除掉环状的区域的玻璃载板、黏着层及环状晶圆部份。

2.根据权利要求1所述的超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺，其特征在于，所述步骤S1中玻璃载板边缘玻璃厚度400-700um,中间晶圆厚度100-200um。

3.根据权利要求1所述的超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺，其特征在于，所述步骤S1中晶圆背面减薄后晶圆厚度为40-100um。

4.根据权利要求1所述的超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺，其特征在于，所述步骤S2中背面金属层包括附着层、Ni V阻隔层和Ti/Ni/Cu种子层。

5.根据权利要求1所述的超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺，其特征在于，所述步骤S3中涂布的PI厚膜厚度＞20um。

6.根据权利要求1所述的超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺，其特征在于，所述步骤S5中Cu厚膜的厚度＞20um。