[发明专利]一种晶体管及其制备方法

说明书

本发明公开一种晶体管及其制备方法。所述晶体管，包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层、第三电极、覆盖层；所述第一电极和第二电极中的至少一种为全反射电极，所述第三电极为半反射电极。本发明发光晶体管设置有至少两个具有较高反射率的电极，在电极之间构成光学共振微腔，通过调节膜层的厚度，从而提高发光晶体管的出光强度和出光的单色性。底栅极可以调节发光晶体管的电荷注入势垒和载流子密度，从而提高了发光晶体管的电子空穴注入平衡和降低了器件驱动电压，得到了色彩更加纯净、效率更高、寿命更长的器件。

技术领域

本发明涉及晶体管技术领域，尤其涉及一种晶体管及其制备方法。

背景技术

量子点电致发光显示技术，由于其波长可调，色彩饱和度高，材料稳定性高，和制备成本低廉等优点，成为了下一代显示技术的最佳候选者。经过了将近二十几年的发展，量子点发光二极管的外量子效率已经由0.01％提升至超过20％，从器件效率方面，量子点发光二极管(QLED)已经相当接近有机发光二极管(OLED)。然而，尽管量子点器件拥有上述的优势，目前器件的性能仍未完全达到产业化的要求，特别是对于蓝色QLED器件来说。

目前QLED的器件结构与OLED相似，通过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构，通过平衡电子和空穴的注入，达到高效发光的效果。由于蓝色量子点的带隙较红绿色量子点带隙宽，电子空穴更加难以注入，启动电压进一步增大，界面电荷积累更加严重，对器件的寿命和效率造成了很大影响。特别是，氧化锌和量子点界面间存在电荷转移现象且量子点对电子束缚能力低于对空穴的束缚，这导致了氧化锌和量子点界面出现严重的电荷转移现象，而且伴随着蓝色量子点的导带能级的提高，这种电荷转移更加严重。界面间的激发电子的转移不仅导致了界面处的电荷积累，而且极大提高了非辐射俄歇复合的概率，严重影响了器件的效率和寿命。所以，设计更加合理的器件结构、能级结构和引入稳定性更好的材料体系是进一步提高器件效率和寿命的关键。

从器件结构上分析，影响QLED器件效率和寿命的因素主要包括以下几点：

1、电极与空穴注入层之间的能级差或是空穴注入层对电极的腐蚀，如PEDOT:PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐)对电极的腐蚀导致的界面损坏、电荷积累、注入势垒提高；

2、HIL(空穴注入层)和HTL(空穴传输层)之间的HOMO能级差，即HIL和HTL之间的势垒高度；

3、HTL和量子点界面处的势垒高度和由此引发的电荷积累，如TFB/QD界面处由于电子积累导致的TFB的退化，导致器件失效；

4、QD和ZnO层之间复杂的相互作用，包括QD/ZnO界面处的能级差、激子转移、电子转移，该作用的效果与ZnO中的氧空位浓度、导带位置和电子传输率密切相关，这些在器件的储存老化过程中会发生一定变化；

5、ZnO和阴极之间的反应，ZnO和阴极金属之间的反应会产生金属氧化物，导致界面势垒提高；也可能会提高ZnO的氧空位浓度，提高ZnO导电性等等。

此外，QLED器件中出光效率也是影响器件效率的一个重要因素，通过合理的光学结构设计可以提高器件出光的单色性和出光的强度。

所以，设计更加合理的器件结构、能级结构和引入稳定性更好的材料体系是进一步提高器件效率和寿命的关键。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种晶体管及其制备方法，旨在解决现有器件的效率和寿命仍有待于提高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种晶体管，其中，包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层、第三电极、覆盖层；

所述第一电极和第二电极中的至少一种为全反射电极，所述第三电极为半反射电极。