[发明专利]一种晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层、第三电极、覆盖层；

所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为半反射电极，所述第三电极为半反射电极；

所述覆盖层为透明覆盖层，所述绝缘层为透明绝缘层；

在所述第一电极和所述第二电极之间构成光学共振微腔、在所述第二电极和所述第三电极之间构成光学共振微腔。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述透明覆盖层的材料包括N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’联苯-4,4’-二胺、丙二醇甲醚醋酸酯和氧化铟锡中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述透明绝缘层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺和聚乙烯基吡咯烷酮中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述绝缘层为透明绝缘层，所述透明绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺和聚乙烯基吡咯烷酮中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述全反射电极的材料包括Al、Ag、Ag基合金中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半反射电极的材料包括Al、Ag、Ag基合金中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：设置于所述第二电极和量子点发光层之间的空穴功能层，设置于所述第三电极和量子点发光层之间的电子功能层；

或者，所述晶体管还包括：设置于所述第二电极和量子点发光层之间的电子功能层，设置于所述第三电极和量子点发光层之间的空穴功能层。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管包括自下而上依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、第三电极、透明覆盖层。

9.一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一电极；

在所述第一电极上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成第二电极；

在所述第二电极上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成第三电极；

在所述第三电极上形成覆盖层，得到晶体管；

所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为半反射电极，所述第三电极为半反射电极；

所述覆盖层为透明覆盖层，所述绝缘层为透明绝缘层；

在所述第一电极和所述第二电极之间构成光学共振微腔、在所述第二电极和所述第三电极之间构成光学共振微腔。

10.根据权利要求9所述的晶体管的制备方法，其特征在于，所述透明覆盖层的材料包括N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’联苯-4,4’-二胺、丙二醇甲醚醋酸酯和氧化铟锡中的一种或多种；和/或，

所述透明绝缘层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺和聚乙烯基吡咯烷酮中的一种或多种。