[发明专利]基板加工方法及基板加工装置在审
申请号: | 202010687621.7 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN112296542A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 苏宇航;前田宪一 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | B23K26/53 | 分类号: | B23K26/53;C03B33/08 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 装置 | ||
一种基板加工方法及基板加工装置,在通过激光进行的划线的加工时,能够抑制产生碎裂、HAZ等热影响而得到具有高质量的分割端面的产品。在由透明的脆性材料构成的基板的加工方法中,包括沿着分割预定线(S3、S4)照射激光以形成在基板内部具有变脆弱的改性层的划线的工序,在将所述激光照射到分割预定线(S3、S4)时,从基板端部附近的进入内侧的位置处开始照射,在进入分割预定线末端附近的基板内侧的位置处停止激光照射。
技术领域
本发明涉及由玻璃板等透明的脆性材料构成的基板的加工方法和加工装置。特别是本发明涉及向在周边具备异形部分的移动设备用液晶单元基板照射激光进行划线加工的基板的加工方法和加工装置。
背景技术
液晶单元的单位基板为将第一基板(也称为CF侧基板)和第二基板(也称为TFT侧基板)隔着封入液晶的密封材料贴合而形成,其中,所述第一基板为在透明的玻璃板图案化形成有滤色器,所述第二基板为在透明的玻璃板图案化形成有薄膜晶体管TFT(Thin FilmTransistor)。
从大尺寸的母基板分割为各个液晶单元的单位基板时,沿着格子状的分割预定线进行切出的加工。此时,一般采用使用刀轮或激光对基板的正反两面加工划线并断开的方法(参照专利文献1、2)。
专利文献1:日本特开2006-137641号公报
专利文献2:日本特开2015-13783号公报
发明内容
如后述的图4所示,在移动设备用的液晶单元基板等中,有时在位于基板周边的角部分具有圆角(圆弧部)2,并且在短边方向的侧边形成有被称为凹口3的开口凹部(在本发明中将该圆角、凹口称为异形部分)。
在这种异形部分的加工中,有时使用对从母基板切出的单位基板沿着异形部分的分割预定线照射激光进行划线的加工方法。即,沿着构成圆角、凹口的形状的分割预定线来扫描激光,以形成在基板内部具有变脆弱的改性层的划线,在下一工序中利用断开棒或汽闸等进行断开,由此加工圆角、凹口。
一般来说,在使用激光对基板加工划线的情况下,以如下方式(在此将该方式称为“外切”)进行:激光在离开基板的外侧的位置处开始照射,保持该状态从基板端面进入到基板上的分割预定线上,并且直接在分割预定线上移动在其末端离开基板端面。
但是,在该“外切”的方式中,在位于分割预定线的始端侧和末端侧的基板端部产生被称为碎裂的小的缺口、被称为HAZ(Heat Affected Zone热影响区)的变色等的热影响,从而出现产品质量劣化而成品率变差的现象。
对此研究了原因。在将聚焦光束的激光(例如波长1064nm的IR激光)照射到玻璃基板的表面的情况下,如图9的(a)所示,在离开玻璃基板的端部边缘(周缘)的内部的位置,从基板表面入射的激光在基板内部收敛,由此对基板进行加工。
另一方面,在“外切”的方式中照射的激光在照射到基板端部上时,其一部分如图9的(b)的粗线所示,从基板端面入射,由于折射向而与基板的厚度方向正交的方向(从基板端面向基板内侧方向)前进并在基板的内部深处收敛。此外,激光的一部分如细线所示被基板端面反射并穿过基板背面。这种扩散到基板内部深处的折射光、基板端面上的反射光被认为是碎裂和HAZ等热影响的原因。
因此,本发明的目的在于提供基板加工方法和基板加工装置,在使用激光加工划线时,能够抑制产生碎裂、HAZ等热影响而得到高质量的产品。
为了达成上述目的,在本发明中采用如下技术手段。即,在本发明中,提供一种透明的脆性材料基板的加工方法,包括沿着分割预定线照射激光以形成在基板内部具有变脆弱的改性层的划线的工序,在沿着分割预定线照射所述激光时,从基板端部附近的进入内侧的位置处开始照射,在进入分割预定线末端附近的基板内侧的位置处停止激光照射。
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