[发明专利]发光器件及其制备方法

说明书

本发明属于光电器件技术领域，尤其涉及一种发光器件的制备方法，包括步骤，在量子点发光层与阳极之间设置空穴功能层，所述空穴功能层包含空穴传输材料与空穴注入材料的混合材料，所述空穴功能层的厚度选自所述混合材料的腔驻波中原点到第一正波谷之间1/3～2/3横坐标对应的厚度；和/或，在量子点发光层与阴极之间设置电子功能层，所述电子功能层的厚度与电子功能材料的腔驻波中第一正波峰对应厚度的差值的绝对值小于等于5纳米。本发明提供的发光器件的制备方法，通过对空穴功能层和/或电子功能层的调节，使发光层中电子与空穴的注入效率更平衡，提高电子与空穴的复合效率，从而提高器件的发光效率，延长器件的使用寿命，并且制备方法操作简单，适用于工业化大规模生产和应用。

技术领域

本发明属于光电器件技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法。

背景技术

当器件的发光区位于一个全反射膜和半反射膜构成的谐振腔内，腔长与光波的波长在同一数量级时，特定波长的光会得到选择和加强，光谱发生窄化，此为微腔效应。由于发光器件，尤其是顶发射器件能够形成微腔效应，有着良好的外量子效率与电流效率，近年来在QLED研发领域被广泛关注。因而顶发射结构电致发光器件具有很多独特的优势，比如：通过在器件顶部增加盖层可提高光的耦合输出，消除由于玻璃基底的光波导效应引起的能量损失，能提高显示设备的色纯度等。但由于蓝绿量子点材料受自身光谱与半峰宽的影响，其腔驻波中最靠近原点的第一波峰值为负数，从而导致即使改变蓝绿光量子点器件中各层的厚度也无法将发光层置于腔驻波的第一波峰，从而导致蓝绿量子点顶发射器件的性能有所降低。一方面，即使减薄各层功能层虽会使器件发光层趋近于腔驻波的第一波峰，并使其光学性能提高，但过薄的膜层会使器件在通电时出现击穿的情况。另一方面，若为了器件光学性能达到蓝绿量子点的峰值，加厚各膜层使发光层置于腔驻波的第二波峰的话，则会因为器件结构中各膜层厚度增加导致器件电阻增高，使其电学性能下降。

因此，目前量子点发光器件，尤其是蓝绿量子点顶发射器件，无法在电学与光学性能上达到理想的效果，量子点发光器件的工作寿命也难以大幅提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光器件的制备方法，旨在一定程度上解决现有发光器件电学与光学性能差的技术问题。

本发明的另一目的在于提供一种发光器件。

为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在量子点发光层与阳极之间设置空穴功能层，所述空穴功能层包含空穴传输材料与空穴注入材料的混合材料，所述空穴功能层的厚度选自所述混合材料的腔驻波中原点到第一正波谷之间1/3～2/3横坐标对应的厚度；和/或，

在量子点发光层与阴极之间设置电子功能层，所述电子功能层的厚度与电子功能材料的腔驻波中第一正波峰对应厚度的差值的绝对值小于等于5纳米。

相应地，一种发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子功能层；其中，所述空穴功能层包含空穴传输材料和空穴注入材料的混合材料，所述空穴功能层的厚度选自所述混合材料的腔驻波中原点到第一正波谷之间1/3～2/3横坐标对应的厚度；和/或，所述电子功能层的厚度与电子功能材料的腔驻波中第一正波峰对应厚度的差值的绝对值小于等于5纳米。