[发明专利]发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010686296.2 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN113948667B 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 敖资通;严怡然;杨帆;赖学森 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H10K71/00 分类号: H10K71/00;H10K50/17;H10K50/15
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 曹柳
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光器件,其特征在于,包括相对设置的阳极和阴极,设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层,设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子功能层;其中,所述空穴功能层包含空穴传输材料和空穴注入材料的混合材料,所述空穴功能层的厚度选自所述混合材料的腔驻波中原点到第一正波谷之间1/3~2/3横坐标对应的厚度;所述电子功能层的厚度与电子功能材料的腔驻波中第一正波峰对应厚度的差值的绝对值小于等于5纳米;

其中,所述空穴传输材料与所述空穴注入材料的质量比为(10~15):(85~90)。

2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,

所述空穴功能层的厚度为20~30纳米。

3.如权利要求1或2所述的发光器件,其特征在于,所述空穴传输材料选自:聚(3-烷基噻吩)、1,2,4,5-四(三氟甲基)苯、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类中的至少一种;和/或,

所述空穴注入材料选自:聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、WoO3、MoO3、NiO、V2O5、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、CuS中的至少一种;和/或,

所述电子功能材料选自:ZnO、ZnMgO、ZnMgLiO、ZnInO、ZrO、ZrO2、TiO2、TiO2、SnO2、Ta2O3、NiO、TiLiO、Alq3、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉中的至少一种;和/或,所述量子点材料选自:蓝光量子点材料、绿光量子点材料中的至少一种。

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