[发明专利]NORD闪存及其制作方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种NORD闪存及其制作方法。NORD闪存的制作方法，至少包括以下步骤：提供制作有字线结构和控制栅结构的半导体器件，字线结构包括字线多晶硅，控制栅结构位于字线多晶硅的两侧；对半导体器件的上表面进行无掩膜刻蚀，刻蚀去除字线多晶硅的上层；对字线多晶硅的上表面进行氧化，形成保护氧化层；在保护氧化层上沉积形成氮化硅层；在氮化硅层和保护氧化层的保护下，刻蚀控制栅结构，形成NORD闪存元胞；在相邻NORD闪存元胞之间制作形成隔离沟槽结构。该NORD闪存及其制作方法，可以解决相关技术中保护氧化层均匀性难保证的问题。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种NORD闪存及其制作方法。

背景技术

在相关技术制作NORD闪存过程中，在沉积、研磨形成字线多晶硅后，对字线多晶硅的上表面进行氧化形成保护氧化层的过程中，由于沿不同晶向，该字线多晶硅的氧化速率不同，在字线多晶硅的研磨表面会形成不易被氧化的尖角，从而会造成所形成的保护氧化层的均匀性差，例如在不易被氧化的尖角部分所形成保护氧化层的厚度较薄，甚至会发生尖角无法被保护氧化层覆盖的情形。

此外，由于在氧化形成保护氧化层的过程中，字线多晶硅通常会发生横向膨胀，位于其周围的结构会对其膨胀造成阻挡挤压，影响字线多晶硅的均匀性，进而会对覆盖在字线多晶硅上表面的保护氧化层的均匀性造成影响。

发明内容

本申请提供了一种NORD闪存及其制作方法，可以解决相关技术中保护氧化层均匀性难保证的问题。

作为本申请的第一方面，提供一种NORD闪存的制作方法，至少包括以下步骤：

提供制作有字线结构和控制栅结构的半导体器件，所述字线结构包括字线多晶硅，所述控制栅结构位于所述字线多晶硅的两侧；

对所述半导体器件的上表面进行无掩膜刻蚀，刻蚀去除所述字线多晶硅的上层；

对所述字线多晶硅的上表面进行氧化，形成保护氧化层；

在所述保护氧化层上沉积形成氮化硅层；

在所述氮化硅层和所述保护氧化层的保护下，刻蚀所述控制栅结构，形成NORD 闪存元胞；

在相邻NORD闪存元胞之间制作形成隔离沟槽结构。

可选的，所述半导体器件还包括：

隔离结构，所述隔离结构沿着所述控制栅结构和所述字线结构之间的交界面，从所述字线结构的底端向上延伸；

侧墙结构，所述侧墙结构位于所述控制栅结构上，分别与位于所述字线结构顶部，所述字线多晶硅的两侧面相邻交界；

氮化硅层，所述氮化硅层位于所述侧墙结构远离所述字线结构的一侧。

可选的，在对所述半导体器件的上表面进行无掩膜刻蚀，刻蚀去除所述字线多晶硅的上层时，对所述字线多晶硅、所述侧墙结构和所述氮化硅层的刻蚀选择比在 1:0.5:0.5-1:2:2范围内。

可选的，在对所述半导体器件的上表面进行无掩膜刻蚀，刻蚀去除所述字线多晶硅的上层时，刻蚀深度大于100A，且剩余字线多晶硅的上表面，与所述隔离结构顶端之间的纵向距离大于200A。

可选的，所述侧墙结构的材料为二氧化硅。

可选的，所述隔离结构向上伸入所述侧墙结构和所述字线多晶硅的交界面之间。

可选的，所述保护氧化层的厚度在400A-1000A范围内。

可选的，在所述形成NORD闪存元胞的步骤之后，在所述在相邻NORD闪存元胞之间制作形成隔离沟槽结构之前还进行：

去除剩余的氮化硅层。