[发明专利]NORD闪存及其制作方法

权利要求书

1.一种NORD闪存的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供制作有字线结构和控制栅结构的半导体器件，所述字线结构包括字线多晶硅，所述控制栅结构位于所述字线多晶硅的两侧；所述半导体器件还包括：

隔离结构，所述隔离结构沿着所述控制栅结构和所述字线结构之间的交界面，从所述字线结构的底端向上延伸；

侧墙结构，所述侧墙结构位于所述控制栅结构上，分别与位于所述字线结构顶部，所述字线多晶硅的两侧面相邻交界；

氮化硅层，所述氮化硅层位于所述侧墙结构远离所述字线结构的一侧

对所述半导体器件的上表面进行无掩膜刻蚀，刻蚀去除所述字线多晶硅的上层；在对所述半导体器件的上表面进行无掩膜刻蚀，刻蚀去除所述字线多晶硅的上层时，对所述字线多晶硅、所述侧墙结构和所述氮化硅层的刻蚀选择比在1:0.5:0.5-1:2:2范围内；

对所述字线多晶硅的上表面进行氧化，形成保护氧化层；

在所述保护氧化层上沉积形成氮化硅层；

在所述氮化硅层和所述保护氧化层的保护下，刻蚀所述控制栅结构，形成NORD闪存元胞；

在相邻NORD闪存元胞之间制作形成隔离沟槽结构。

2.如权利要求1所述的NORD闪存的制作方法，其特征在于，在对所述半导体器件的上表面进行无掩膜刻蚀，刻蚀去除所述字线多晶硅的上层时，刻蚀深度大于100A，且剩余字线多晶硅的上表面，与所述隔离结构顶端之间的纵向距离大于200A。

3.如权利要求1所述的NORD闪存的制作方法，其特征在于，所述侧墙结构的材料为二氧化硅。

4.如权利要求1所述的NORD闪存的制作方法，其特征在于，所述隔离结构向上伸入所述侧墙结构和所述字线多晶硅的交界面之间。

5.如权利要求1所述的NORD闪存的制作方法，其特征在于，所述保护氧化层的厚度在400A-1000A范围内。

6.如权利要求1所述的NORD闪存的制作方法，其特征在于，在所述形成NORD 闪存元胞的步骤之后，在所述在相邻NORD闪存元胞之间制作形成隔离沟槽结构之前还进行：

去除剩余的氮化硅层。

7.如权利要求1所述的NORD闪存的制作方法，其特征在于，所述在保护氧化层上沉积形成氮化硅层的步骤中，所形成的氮化硅的厚度在200A-700A范围内。

8.如权利要求1所述的NORD闪存的制作方法，其特征在于，所述半导体器件还包括：

衬底层，在所述衬底层上分布有字线区域，和位于所述字线区域两侧的控制栅区域；

所述字线结构设于所述字线区域位置处的衬底层上，包括从下至上依次设置的字线区氧化层和字线多晶硅；

所述控制栅结构设于所述控制栅区域位置处的衬底层上，且与所述字线结构相邻交界。

9.如权利要求8所述的NORD闪存的制作方法，其特征在于，所述控制栅结构包括由下至上，依次沉积在衬底上的控制栅区氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层和控制栅多晶硅层。

10.一种NORD闪存，其特征在于，所述NORD闪存采用如权利要求1至9中任一项所述的制作方法制作而成。