[发明专利]半导体器件及半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括有源表面的半导体衬底；

设置在所述有源表面上的半导体元件；

设置在所述半导体衬底上的层间绝缘膜；

穿过所述半导体衬底的第一通路结构，所述第一通路结构具有第一直径；以及

穿过所述半导体衬底的第二通路结构，所述第二通路结构具有大于所述第一直径的第二直径，

其中，所述第一通路结构包括：

头部分，所述头部分在平行于所述半导体衬底的上表面的方向上具有第一宽度；

主体部分，所述主体部分在平行于所述半导体衬底的所述上表面的所述方向上具有第二宽度，其中，所述第二宽度小于所述第一宽度；和

台阶部分，所述台阶部分与所述层间绝缘膜接触，所述台阶部分设置在所述头部分与所述主体部分之间，

其中，所述头部分的下表面基本平行于所述半导体衬底的所述上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二通路结构不包括与所述层间绝缘膜接触的台阶部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一通路结构包括第一通路绝缘膜和第一阻挡膜，所述第一通路绝缘膜沿着通路孔的侧壁具有基本均匀的厚度，所述第一阻挡膜沿着所述第一通路绝缘膜的侧壁具有基本均匀的厚度，

其中，所述第一阻挡膜在所述头部分具有第一阻挡宽度，所述第一阻挡膜在所述主体部分具有第二阻挡宽度，并且所述第二阻挡宽度小于所述第一阻挡宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜与所述头部分的侧表面和所述下表面都接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜与所述主体部分的上部的侧表面接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二通路结构穿过所述半导体衬底中的器件隔离膜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，在所述第二通路结构的局部高度上，所述第二通路结构所穿过的所述器件隔离膜在横向方向上围绕所述第二通路结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路结构包括信号通路结构，并且所述第二通路结构包括电力通路结构。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

被构造为穿过所述半导体衬底的第三通路结构，所述第三通路结构具有大于所述第二直径的第三直径，

其中，所述第一通路结构的通路孔的侧壁包括至少两个切口部分。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第三通路结构穿过所述半导体衬底中的器件隔离膜。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路结构的通路孔的侧壁包括至少一个切口部分。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述头部分的平面形状是圆形、多边形或椭圆形。

13.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

设置在所述半导体衬底上的层间绝缘膜；

穿过所述半导体衬底和所述层间绝缘膜的信号通路结构；以及

穿过所述半导体衬底和所述层间绝缘膜的电力通路结构，

其中，所述电力通路结构穿过所述半导体衬底中的器件隔离膜，

其中，所述信号通路结构包括：

头部分，所述头部分在平行于所述半导体衬底的上表面的方向上具有第一宽度；和

主体部分，所述主体部分在平行于所述半导体衬底的所述上表面的所述方向上具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度，

其中，所述头部分的下表面基本平行于所述半导体衬底的所述上表面。