[发明专利]用于半导体处理腔室的经涂布的衬里组件

说明书

本文公开的实施方式关于用于半导体处理腔室中的经涂布的衬里组件。在一个实施方式中，一种用于半导体处理腔室中的衬里组件包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。在另一个实施方式中，一种用于沉积介电层于基板上的设备包括：处理腔室，该处理腔室具有内部空间，该内部空间界定于该处理腔室的腔室主体中；衬里组件，该衬里组件设置于该处理腔室中，其中该衬里组件进一步包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体的外壁并且面向该腔室主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。

本申请是申请日为2014年4月8日、申请号为201480026803.2、发明名称为“用于半导体处理腔室的经涂布的衬里组件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本文公开用于半导体处理的设备。更具体地，本文公开的实施方式关于用于半导体处理腔室中的经涂布的衬里组件。

背景技术

半导体基板经处理以用于各式各样的应用，这些应用包括集成装置与微型装置(microdevice)的制造。一种处理基板的方法包括沉积诸如介电材料或导电金属之类的材料于基板的上表面上。外延是沉积处理的一种，外延广泛地用于半导体处理中，以形成薄材料层于半导体基板上。这些层通常界定半导体器件的某些小特征，且若要求结晶材料的电气特性，则可能需要这些层具有高质量的晶体结构。通常将提供沉积前驱物至其中设置有基板的处理腔室。之后基板被加热至有助于生长具有所期望特性的材料层的温度。

通常所期望的是，沉积膜(deposited film)具有均匀的厚度、成分与结构于基板表面各处。局部的基板温度、气流、与前驱物浓度的变化可导致基板上所形成的沉积膜具有不均匀的膜厚度、不均匀且不可重复的膜特性。在处理期间，处理腔室通常将维持(maintain)处于真空，典型地低于10Torr。用以加热基板的热能通常由热灯(heat lamp)来提供，这些热灯定位于处理腔室外，以避免引入污染物。高温计用于处理腔室中，以测量基板的温度。但是，因来自加热源的散射辐射能介入(artifact)的缘故，基板温度的精确测量是困难的。

因此，仍需要具有改良的温度控制、温度测量的外延处理腔室，以及操作此种腔室以改良沉积均匀性与可重复性的方法。

发明内容

本文公开的实施方式关于用于半导体处理腔室中的经涂布的衬里组件。在一个实施方式中，一种用于半导体处理腔室中的衬里组件包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。

在另一个实施方式中，一种用于沉积介电层于基板上的设备包括：处理腔室，该处理腔室具有内部空间，该内部空间界定于该处理腔室的腔室主体中；衬里组件，该衬里组件设置于该处理腔室中，其中该衬里组件进一步包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体的外壁并且面向该腔室主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。

在又一个实施方式中，一种用于沉积介电层于基板上的设备包括：处理腔室，该处理腔室具有内部空间，该内部空间界定于该处理腔室的腔室主体中；衬里组件，该衬里组件设置于该处理腔室中，其中该衬里组件进一步包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆于该衬里主体的外壁上并且面向该腔室主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的，该涂层由选自碳化硅、玻璃碳、炭黑、石墨化的炭黑、石墨、黑石英、泡沫石英(bubble quartz)、硅和黑色着色的滑爽涂料(black pigmented slip coating)的材料所制成。

附图说明