[发明专利]用于半导体处理腔室的经涂布的衬里组件

权利要求书

1.一种用于半导体处理腔室中的衬里组件，所述衬里组件包括：

衬里主体，所述衬里主体具有圆柱环形状，所述衬里主体包括：

外壁和内壁；

开口，所述开口穿过所述外壁和内壁而形成，所述开口适于允许基板传送通过所述开口；

挖除部，所述挖除部穿过所述外壁和内壁而形成，所述挖除部被配置成允许自气体端口提供的气体流入并通过所述内壁；及

涂层，所述涂层设置于所述衬里主体的所述外壁上，其中所述涂层具有与所述衬里主体中的所述开口对应的涂层开口，并且所述涂层在范围为从约200nm至约5000nm的一个或更多个波长下是不透明的，并且其中所述涂层包含选自以下材料所构成的群组中的一种：碳化物、玻璃碳、炭黑、石墨化的炭黑、石墨和黑色着色的滑爽涂料。

2.如权利要求1所述的衬里组件，其中所述衬里主体由光学上透明或半透明的材料制成。

3.如权利要求1所述的衬里组件，其中所述衬里主体由石英制成。

4.如权利要求1所述的衬里组件，其中所述涂层具有范围为从约5μm至约100μm的厚度。

5.如权利要求1所述的衬里组件，其中所述涂层借助CVD、PVD、等离子体喷涂、烧结浸渍、旋涂法和烧结法、火焰喷涂、刷涂、浸涂、辊涂、或丝网涂布而形成于所述衬里组件的外壁上。

6.如权利要求1所述的衬里组件，其中所述衬里主体包括顶表面与底表面，所述顶表面与所述底表面由所述内壁与所述外壁连接。

7.一种外延沉积腔室，所述外延沉积腔室包括权利要求1的所述衬里组件。

8.如权利要求7所述的外延沉积腔室，其中所述衬里组件可从所述外延沉积腔室移除。

9.一种用于沉积介电层于基板上的设备，所述设备包括：

处理腔室，所述处理腔室具有内部空间，所述内部空间界定于所述处理腔室的腔室主体中；

衬里组件，所述衬里组件设置于所述处理腔室中，其中所述衬里组件进一步包括：

衬里主体，所述衬里主体具有圆柱环形状，所述衬里主体包括：

外壁和内壁；

开口，所述开口穿过所述外壁和内壁而形成，所述开口适于允许基板传送通过所述开口；

挖除部，所述挖除部穿过所述外壁和内壁而形成，所述挖除部被配置成允许自气体端口提供的气体流入并通过所述内壁；及

涂层，所述涂层在所述衬里主体的所述外壁上并且面向所述腔室主体，其中所述涂层具有与所述衬里主体中的所述开口对应的涂层开口，并且所述涂层在范围为从约200nm至约5000nm的一个或更多个波长下是不透明的，并且其中所述涂层包含选自以下材料所构成的群组中的一种：碳化物、玻璃碳、炭黑、石墨化的炭黑、石墨和黑色着色的滑爽涂料。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述衬里主体由光学上透明或半透明的材料制成。

11.如权利要求9所述的设备，其中所述衬里主体由石英制成。

12.如权利要求9所述的设备，其中所述涂层具有范围为从约5μm至约100μm的厚度。

13.如权利要求9所述的设备，其中所述衬里组件可从所述处理腔室移除。

14.如权利要求9所述的设备，其中所述处理腔室是外延沉积腔室。