[发明专利]制造半导体装置的方法在审
申请号: | 202010673245.6 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN112558407A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 林汉仲;林忠亿;王彦森 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李琛;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体 装置 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的方法,包括:
接收一设计布局;
对上述设计布局执行选路以获得一选路后布局,上述选路后布局包括一互连结构,上述互连结构包括一第一金属层、上述第一金属层上的一第二金属层、上述第二金属层上的一第三金属层、以及复数功能性通孔;
对上述选路后布局执行光学邻近校正操作,以获得一光学邻近校正后布局,上述光学邻近校正后布局包括复数密集区域及复数孤立区域;
决定要插入上述孤立区域的一第一数量的标称虚拟通孔;
将上述第一数量的标称虚拟通孔降低到一第二数量的标称虚拟通孔;以及
基于上述第二数量的标称虚拟通孔修改上述光学邻近校正后布局,以获得一修改后布局,
其中上述光学邻近校正后布局的修改包括在上述光学邻近校正后布局中插入上述第二数量的标称虚拟通孔。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备