[发明专利]一种多孔连体半导体石墨坩埚

说明书

本发明公开了一种多孔连体半导体石墨坩埚，包括锅体，所述锅体外侧顶部的中间位置处设置有夹持槽，所述锅体顶部一端的边缘位置处设置有导流槽，所述锅体的内部均匀设置有六组反应孔，所述锅体底部的中间位置处设置有加热孔，所述夹持槽的一侧中间位置处设置有滑槽，所述滑槽的一侧设置有弹簧，且弹簧的另一侧延伸至滑槽的外部，所述弹簧内部中心位置处设置有T型滑块；本发明装置通过在石墨坩埚的底部中间位置处设置加热孔，使得石墨坩埚在受热时，增大受热面积，更加有效的受热，减少反应周期；通过在石墨坩埚夹持槽设置防护杆，使得在使用时，能够有效的固定夹钳，防止坩埚滑落。

技术领域

本发明涉及石墨坩埚装置技术领域，具体为一种多孔连体半导体石墨坩埚。

背景技术

石墨坩埚的主体原料为结晶质的天然石墨，所以石墨坩埚具有良好的热导性和耐高温性，在高温使用过程中，热膨胀系数小，对于急冷、急热具有一定的抗应变性，同时对于酸、碱溶液的抗腐蚀性较强，具有优良的化学稳定性，保证了被熔炼物的纯度，多孔石墨坩埚常用于金属的冶炼、负极材料和半导体材料生产工艺；

现有坩埚多种多样，但是仍存在较为明显的问题：1、现有技术中，多孔石墨坩埚在使用前需要缓慢烘烤至500摄氏度左右方可使用，导致了加热缓慢，增加了反应周期；2、现有技术中，坩埚外侧不具有夹持防护装置，在使用时存在滑落的风险；3、现有多孔石墨坩埚的反应孔与坩埚顶部水平，在倾倒反应物时，反应物流动方向不可控，存在滴落风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多孔连体半导体石墨坩埚，以解决上述背景技术中提出现有坩埚多种多样，但是仍存在较为明显的问题：现有技术中，多孔石墨坩埚在使用前需要缓慢烘烤至500摄氏度左右方可使用，导致了加热缓慢，增加了反应周期；现有技术中，坩埚外侧不具有夹持防护装置，在使用时存在滑落的风险；现有多孔石墨坩埚的反应孔与坩埚顶部水平，在倾倒反应物时，反应物流动方向不可控，存在滴落风险的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种多孔连体半导体石墨坩埚，包括锅体，所述锅体外侧顶部的中间位置处设置有夹持槽，所述锅体顶部一端的边缘位置处设置有导流槽，所述锅体的内部均匀设置有六组反应孔，所述锅体底部的中间位置处设置有加热孔，所述夹持槽的一侧中间位置处设置有滑槽，所述滑槽的一侧设置有弹簧，且弹簧的另一侧延伸至滑槽的外部，所述弹簧内部中心位置处设置有T型滑块，且T型滑块的一端延伸至弹簧的外部，所述夹持槽两端的中间位置处均设置有弧形挡块。

优选的，所述锅体顶部的中间位置处设置有排气孔，且排气孔延伸至加热孔的内部。

优选的，所述弧形挡块与夹持槽之间为铰接结构。

优选的，所述T型滑块的一侧为弧形内凹结构。

优选的，所述反应孔的顶部要低于锅体的顶部。

优选的，所述T型滑块、弧形挡块、弹簧、滑槽均为耐高温材质。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该多孔连体半导体石墨坩埚增加了导热孔，使得多孔石墨坩埚在加热时，能够迅速受热，减少了反应周期，且夹持槽设置的防护装置，使得夹持更加稳定，避免了掉落的风险；

1、通过在石墨坩埚的底部中间位置处设置加热孔，使得石墨坩埚在受热时，增大受热面积，更加有效的受热，减少反应周期；

2、通过在石墨坩埚夹持槽设置防护杆，使得在使用时，能够有效的固定夹钳，防止坩埚滑落；

3、通过将反应孔的水平位置设置在坩埚内部，使得在倾倒反应物时，能够有效的控制反应物的流动，防止滴落现象的发生。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明的主视剖视图；

图3为本发明的俯视图；