[发明专利]一种显示屏及其制造方法有效
申请号: | 202010661811.1 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN111769048B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 孙德瑞 | 申请(专利权)人: | 深圳市双禹盛泰科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L25/16;H01L23/544;G09F9/33 |
代理公司: | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人: | 钟延珍 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝安区石岩*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示屏 及其 制造 方法 | ||
本发明提供了一种显示屏及其制造方法,其利用第一衬底和第二衬底分别集成mini‑LED和TFT,然后进行组装形成显示装置,其可以分别制造分别测试;并且在第一衬底上形成有测试端,该测试端不仅是测试端子还是电连接第一衬底和第二衬底电路的连接部件,其测试位置紧邻连接位置,保证测试准确性,便于修复存在缺陷而无法正常运作的发光元件。
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域,具体涉及一种显示屏及其制造方法。
背景技术
目前,显示设备在制造过程中常会使用到巨量转移技术,巨量转移技术被用来将大量的发光元件(例如发光二极管)转置于电路基板上,接着使发光元件与电路基板上的像素电路电性连接。然而,就目前技术而言,因存在电路基板在修补程序中会被破坏的疑虑,故在转置大量的发光元件于电路基板上之后,难以对存在缺陷而无法正常运作的发光元件进行修补,因而必须报废丢弃有缺陷的装置,使得生产良率不足。
发明内容
基于解决上述问题,本发明提供了一种mini-LED显示屏的制造方法,其包括以下步骤:
(1)提供第一衬底,在所述第一衬底的上表面上形成有多个焊盘,在所述第一衬底的下表面形成第一布线层;
(2)在所述第一衬底的下表面上倒装多个mini-LED,并利用塑封层密封所述多个mini-LED,所述密封层包括倒梯形的多个密封块,所述多个密封块均包括第一倾斜侧面;
(3)在所述第一衬底中形成多个通孔,所述多个通孔贯穿所述多个焊盘和所述第一布线层;
(4)提供第二衬底,在所述第二衬底的上表面上依次形成多个TFT层和粘合层,所述粘合层与所述多个TFT层之间包括第二布线层,所述粘合层中具有多个开口,所述多个开口露出所述第二布线层且与所述多个通孔一一对应;
(5)在所述多个TFT层和粘合层中形成倒梯形的多个开窗,所述多个开窗均包括第二倾斜侧面;
(6)将第一衬底的下表面与所述粘合层压合,使得所述多个密封块分别滑入所述多个开窗中,其中所述第一倾斜侧面与所述第二倾斜侧面紧密贴合;
(7)通过所述多个通孔填充焊料形成多个焊料组件,所述多个焊料组件填充所述多个开口。
其中,所述多个TFT层中包括多个TFT,所述多个TFT的源极或漏极电连接至所述第二布线层。
其中,在步骤(6)中,所述多个密封块的第一倾斜侧面贴合到多个开窗的第二倾斜侧面,然后所述多个密封块逐步滑入所述多个开窗中,直至所述第一布线层贴合到所述粘合层上。
其中,在步骤(1)中,还包括在所述第一衬底的下表面形成介质层,所述第一布线层形成于所述介质层中,且所述第一布线层与所述介质层具有齐平的表面。
其中,所述多个开窗的底面露出所述第二衬底,且所述多个密封块与所述第二衬底之间留有一定的间隙。
其中,所述第一衬底为测试衬底,该测试衬底包括散热衬底。
其中,所述第二衬底为透明衬底。
其中,所述密封层包括不同颜色的荧光材料。
其中,所述粘合层为热固化材料。
本发明根据上述制造方法,还提供了一种显示屏。
本发明利用第一衬底和第二衬底分别集成mini-LED和TFT,然后进行组装形成显示装置,其可以分别制造分别测试;并且在第一衬底上形成有测试端,该测试端不仅是测试端子还是电连接第一衬底和第二衬底电路的连接部件,其测试位置紧邻连接位置,保证测试准确性,便于修复存在缺陷而无法正常运作的发光元件。
附图说明
图1-3为发光单元的制造示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市双禹盛泰科技有限公司,未经深圳市双禹盛泰科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010661811.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示装置及其制备方法
- 下一篇:一种自动绑带鞋
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造