[发明专利]一种显示装置及其制备方法

说明书

本发明涉及一种显示装置及其制备方法，该方法包括以下步骤：在承载基底上形成柔性基层，在所述柔性基层中形成像素凸块区以及弹性拉伸区，在所述柔性基层上依次形成缓冲层、薄膜晶体管器件以及有机发光二极管器件，接着在所述承载基底上形成对应所述像素单元的第一封装单元，接着在所述承载基底上形成第二封装层，接着将所述第二封装层临时粘合至临时载板，接着去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层，接着在所述弹性拉伸区的所述第二封装层中形成多个第一沟槽，并在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着形成金属层叠结构，接着在所述柔性基层和所述第二封装层上形成第三封装层。

技术领域

本发明涉及半导体显示的封装技术领域，尤其是涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术

随着显示器技术发展和更新换代，有机电致发光显示器件由于具有自发光、高亮度、高对比度、低工作电压、可制作柔性显示器等特点，已经逐渐成为显示领域的主流产品。OLED显示装置主要向全面屏、柔性拉伸折叠及更窄的边框方向发展。因此，如何实现可拉伸显示装置的寿命延长成为发展的技术难点。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种显示装置及其制备方法。

为实现上述目的，一种显示装置的制备方法，包括以下步骤：

(1)提供一承载基底，在所述承载基底上形成柔性基层，接着对所述柔性基层进行刻蚀处理，以在所述柔性基层中形成多个呈阵列排布的像素凸块区以及位于相邻所述像素凸块区之间的弹性拉伸区。

(2)接着在所述柔性基层上形成缓冲层。

(3)接着在每个所述像素凸块区的所述缓冲层上均形成一薄膜晶体管器件。

(4)接着在每个所述薄膜晶体管器件上均形成一相应的有机发光二极管器件，每个所述所述薄膜晶体管器件与相应的所述有机发光二极管器件共同组成一像素单元。

(5)接着在所述承载基底上形成第一封装层，所述第一封装层包括多个分立设置的第一封装单元，每个所述第一封装单元仅覆盖一相应的所述像素单元。

(6)接着在所述承载基底上形成第二封装层，使得所述第二封装层与所述第一封装层以及所述柔性基层直接接触。

(7)提供一临时载板，将所述第二封装层临时粘合至所述临时载板，接着去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层。

(8)接着对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理，以形成多个第一沟槽；接着对每个所述第一沟槽的底部进行刻蚀处理，以在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽。

(9)接着在所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二封装胶层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成对应每个所述第一沟槽的第三沟槽，所述第三沟槽的尺寸小于所述第一沟槽的尺寸，接着在所述第三沟槽中沉积金属材料，接着在所述第一光刻胶掩膜上形成第二光刻胶掩膜，在所述第二光刻胶掩膜中形成对应每个所述第三沟槽的第四沟槽，所述第四沟槽的尺寸大于所述第三沟槽的尺寸，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二光刻胶掩膜上形成第三光刻胶掩膜，在所述第三光刻胶掩膜中形成对应每个所述第四沟槽的第五沟槽，所述第五沟槽的尺寸小于所述第四沟槽的尺寸，接着在所述第五沟槽中沉积金属材料，接着在所述第三光刻胶掩膜上形成第四光刻胶掩膜，在所述第四光刻胶掩膜中形成对应每个所述第五沟槽的第六沟槽，所述第六沟槽的尺寸大于所述第五沟槽的尺寸，接着在所述第六沟槽中沉积金属材料，以形成金属层叠结构，接着去除所述第一、第二、第三、第四光刻胶掩膜。

(10)接着在所述柔性基层和所述第二封装层上形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述柔性基层、所述第二封装层以及所述金属层叠结构。