[发明专利]一种显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种显示装置的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一承载基底，在所述承载基底上形成柔性基层，接着对所述柔性基层进行刻蚀处理，以在所述柔性基层中形成多个呈阵列排布的像素凸块区以及位于相邻所述像素凸块区之间的弹性拉伸区；

(2)接着在所述柔性基层上形成缓冲层；

(3)接着在每个所述像素凸块区的所述缓冲层上均形成一薄膜晶体管器件；

(4)接着在每个所述薄膜晶体管器件上均形成一相应的有机发光二极管器件，每个所述所述薄膜晶体管器件与相应的所述有机发光二极管器件共同组成一像素单元；

(5)接着在所述承载基底上形成第一封装层，所述第一封装层包括多个分立设置的第一封装单元，每个所述第一封装单元仅覆盖一相应的所述像素单元；

(6)接着在所述承载基底上形成第二封装层，使得所述第二封装层与所述第一封装层以及所述柔性基层直接接触；

(7)提供一临时载板，将所述第二封装层临时粘合至所述临时载板，接着去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层；

(8)接着对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理，以形成多个第一沟槽；接着对每个所述第一沟槽的底部进行刻蚀处理，以在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽；

(9)接着在所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二封装胶层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成对应每个所述第一沟槽的第三沟槽，所述第三沟槽的尺寸小于所述第一沟槽的尺寸，接着在所述第三沟槽中沉积金属材料，接着在所述第一光刻胶掩膜上形成第二光刻胶掩膜，在所述第二光刻胶掩膜中形成对应每个所述第三沟槽的第四沟槽，所述第四沟槽的尺寸大于所述第三沟槽的尺寸，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二光刻胶掩膜上形成第三光刻胶掩膜，在所述第三光刻胶掩膜中形成对应每个所述第四沟槽的第五沟槽，所述第五沟槽的尺寸小于所述第四沟槽的尺寸，接着在所述第五沟槽中沉积金属材料，接着在所述第三光刻胶掩膜上形成第四光刻胶掩膜，在所述第四光刻胶掩膜中形成对应每个所述第五沟槽的第六沟槽，所述第六沟槽的尺寸大于所述第五沟槽的尺寸，接着在所述第六沟槽中沉积金属材料，以形成金属层叠结构，接着去除所述第一、第二、第三、第四光刻胶掩膜；

(10)接着在所述柔性基层和所述第二封装层上形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述柔性基层、所述第二封装层以及所述金属层叠结构。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述承载基底为玻璃基底、陶瓷基底、不锈钢基底或塑料基底，所述柔性基层的材料为PET、PEN、PC或PMMA。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，所述薄膜晶体管器件包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，在所述步骤(4)中，所述有机发光二极管器件包括阳极、发光层以及阴极，其中，所述漏极与所述阳极电连接。

4.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，所述第一封装单元包括至少一无机封装层和至少一有机封装层，所述至少一无机封装层直接覆盖所述像素单元，所述至少一有机封装层覆盖所述至少一无机封装层。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(6)中，所述第二封装层的材料为PI、PDMS或TPU。

6.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(8)中，对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理之前，形成一刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述所述柔性基层以及所述第二封装层，接着对所述刻蚀阻挡层进行开孔以暴露所述第二封装层，所述第二沟槽的长度和宽度均小于所述第一沟槽的长度和宽度。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(9)中，所述金属材料为铝、铜或钛，且通过热蒸发、磁控溅射、电子束蒸发、电镀或化学镀的方式进行沉积。