[发明专利]一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法。所述复合薄膜的制备方法包括步骤：将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合，得到混合液；将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括PEDOT：PSS与VO_x组成的复合薄膜；其中X的取值为2‑2.5。本发明采用三异丙氧基氧化钒(C₉H₂₁O₄V)溶液掺入PEDOT：PSS溶液，形成PEDOT：PSS‑VO_x复合材料，可以降低PEDOT：PSS的亲水性和酸性，提高PEDOT：PSS的功函数，有利于降低PEDOT：PSS与HTL层之间的空穴注入势垒。另外，掺入VO_x可以提高PEDOT：PSS的折射率，有利于降低膜厚，改善器件效率及稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

QLED器件具有发光线宽窄，发光波长可调，发光色饱和度高，发光色域广等优势，其发光材料为无机纳米晶体，理论寿命较长，器件稳定性好。人们通过改变电荷传输层材料，优化器件结构不断提升QLED器件性能，现有器件中通常采用PEDOT：PSS作为空穴传输层材料，由于PEDOT：PSS的酸性和亲水性将降低器件的稳定性；而且，PEDOT：PSS的功函数在4.9～5.1eV，低于空穴传输层的最高占据分子轨道HOMO能级5.5eV，存在一定的能级差即空穴注入势垒，将导致器件中空穴和电子注入不平衡，影响器件的效率和稳定性；另外，PEDOT：PSS的折射率为1.5，折射较低，不利于器件膜层厚度控制及器件效率提升；因此，需要改善PEDOT：PSS的性能优化器件效率及寿命。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有基于PEDOT：PSS的器件，其效率及寿命仍有待改善的问题。

本发明的技术方案如下：

一种复合薄膜的制备方法，其中，包括步骤：

将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合，得到混合液；

将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括PEDOT：PSS与VO_x组成的复合薄膜；其中X的取值为2-2.5。

一种复合薄膜，其中，所述复合薄膜的材料包括PEDOT：PSS与VO_x复合形成的复合材料；其中X的取值为2-2.5。

一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，其中，所述空穴注入层包括本发明所述的方法制备得到的复合薄膜；和/或所述空穴注入层包括本发明所述的复合薄膜。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供阳极；

将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合后，沉积于所述阳极上，加热得到包括PEDOT：PSS与VO_x组成的空穴注入层；其中X的取值为2-2.5；

在所述空穴注入层上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；

或者，提供阴极；

在所述阴极上形成量子点发光层；

将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合后，沉积于所述量子点发光层上，加热得到包括PEDOT：PSS与VO_x组成的空穴注入层；其中X的取值为2-2.5；

在所述空穴注入层上形成阳极，得到所述量子点发光二极管。