[发明专利]一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010652145.5 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113912877A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 徐威 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L65/00;C08L25/18;C08K3/22;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 薄膜 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合，得到混合液；
将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括PEDOT：PSS与VOx组成的复合薄膜；其中X的取值为2-2.5。
2.根据权利要求1所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述三异丙氧基氧化钒溶液的浓度为0.6-6wt％；和/或所述PEDOT：PSS溶液的浓度为1-2wt％。
3.根据权利要求2所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，按照体积比1:20-1:10，将三异丙氧基钒氧化物溶液与PEDOT：PSS溶液进行混合。
4.根据权利要求1所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为130-150℃；和/或所述加热的时间为10-30min。
5.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料包括PEDOT：PSS与VOx复合形成的复合材料；其中X的取值为2-2.5。
6.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料为PEDOT：PSS与VOx复合形成的复合材料。
7.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层包括权利要求1-4任一项所述的方法制备得到的复合薄膜；和/或所述空穴注入层包括权利要求5-6任一项所述的复合薄膜。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层为权利要求1-4任一项所述的方法制备得到的复合薄膜；和/或所述空穴注入层为权利要求5-6任一项所述的复合薄膜。
9.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20-40nm。
10.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供阳极；
将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合后，沉积于所述阳极上，加热得到包括PEDOT：PSS与VOx组成的空穴注入层；其中X的取值为2-2.5；
在所述空穴注入层上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；
或者，提供阴极；
在所述阴极上形成量子点发光层；
将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合后，沉积于所述量子点发光层上，加热得到包括PEDOT：PSS与VOx组成的空穴注入层；其中X的取值为2-2.5；
在所述空穴注入层上形成阳极，得到所述量子点发光二极管。
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