[发明专利]蚀刻液组合物

说明书

本发明涉及选择性地蚀刻用作TFT‑LCD显示器的电极的铜膜和含钼膜的蚀刻液组合物，根据本发明，可以提供铜膜和含钼膜的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物能够实现对铜膜和含钼膜的选择性的蚀刻，通过容易的蚀刻速度的控制，可以提供具有目标图案的直线性和锥角的金属配线，实现稳定的蚀刻轮廓，从而不仅可实现高处理张数，而且对大面积处理有效。

技术领域

本发明涉及用于铜膜和含钼膜的蚀刻的蚀刻液组合物，特别是，涉及选择性地蚀刻用作TFT-LCD显示器的电极的铜膜和含钼膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。

背景技术

在TFT-LCD显示装置中，金属配线的电阻是诱发RC信号延迟的主要因素。因此，获得低电阻的金属配线是实现面板大小增加和高分辨率的关键。在现有技术上，用作金属配线的材料的铬、钼、铝铌或它们的合金由于电阻高，因此用作在大型TFT-LCD中使用的门极/栅极和数据配线等时存在局限。

与此相关，与铝或铬相比电阻显著低且没有环境性的大问题的铜(Cu)正作为低电阻金属配线的材料受到关注。但是，对铜膜而言，在将光致抗蚀剂图案作为掩膜的选择性蚀刻时发现了许多问题。作为一个例子，在蚀刻时发现了与玻璃基板或硅绝缘膜的附着力下降的问题。为了解决这样的问题，与单独使用铜膜相比，为了增大铜膜与玻璃基板或硅绝缘膜的附着力且抑制铜向硅绝缘膜的扩散，提出了一同使用中间金属膜的技术。作为这样的中间金属膜的材料，可以举出钛、钛合金、钼或钼合金等。

在这样的背景下，作为新的低电阻金属配线的材料，对选择性地蚀刻铜与钼或钼合金膜等铜基金属膜的蚀刻液组合物的兴趣正在增加。但是，对于这样的铜基金属膜的蚀刻液组合物而言，目前使用各种类型，但实际情况是不能充分满足使用者所需的性能。

作为一个例子，KR10-2004-0011041A公开了包含过氧化氢、有机酸、硫酸盐、环状胺化合物和去离子水的铜钼膜蚀刻液。但是，在这种情况下，具有如下的严重的问题：钼的残渣残留的可能性高，后续膜的台阶覆盖(step coverage)不完整而诱发数据打开不良，由于钼(Mo)的部分钝化而导致残渣的形成，从而发生像素(pixel)不良等。

作为另一个例子，KR10-2006-0099089A公开了包含过氧化氢、硫酸盐、磷酸盐、氟化物、水溶性环状胺化合物、螯合剂和去离子水的金属配线蚀刻液。但是，在此情况下，如果像处理张数增加或大面积处理那样，蚀刻液内金属离子增加到一定浓度以上，则具有蚀刻轮廓(etch profile)的临界尺寸损失(Critical Dimension loss)增加的问题。

因此，在该技术领域中迫切要求开发一种在处理张数增加或大面积处理中蚀刻均匀性也优异，同时图案的直线性优异，且可以一起湿法蚀刻具有期望的角度的锥度而没有底切等问题的蚀刻液。

现有技术文献

专利文献

(专利文献0001)KR10-2004-0011041A

(专利文献0002)KR10-2006-0099089A

发明内容

本发明的目的是提供一种选择性地蚀刻铜膜和含钼膜的稳定的蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。

详细地，本发明提供一种在一起湿法蚀刻由铜与钼或钼合金膜构成的金属配线时，蚀刻速度的控制容易，且可以均匀地获得目标图案的直线性和锥角的蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。

详细地，本发明提供一种经时稳定性优异，且蚀刻轮廓不变形而在处理张数增加或大面积处理中也可以稳定地确保蚀刻均匀性的蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。

详细地，本发明提供一种在蚀刻的金属配线的表面上不产生由钼的钝化导致的残渣的用于铜膜和含钼膜的蚀刻的蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。