[发明专利]声表面波滤波器及其制备方法

权利要求书

1.一种声表面波滤波器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将带有纳米孔的过滤板置于掩模版与涂敷有电子抗蚀剂的压电衬底之间；

步骤2：利用电子束曝光方法，将掩模版上的叉指电极掩模图形小孔成像转印到所述压电衬底的电子抗蚀剂上，在所述压电衬底上形成相对所述掩模版的叉指电极掩模图形缩小线宽尺寸的叉指电极图形；

步骤3：对所述压电衬底的叉指电极图形外的裸露区域进行剥离或刻蚀；

步骤4：去除电子抗蚀剂，在所述压电衬底上形成叉指电极，得到声表面波滤波器；

其中，所述掩模版包括掩模支撑层和掩模金属层；

所述掩模支撑层，包括叉指电极掩模图形；

所述掩模金属层，形成于所述掩模支撑层的所述叉指电极掩模图形以外的区域上；

所述过滤板包括过滤支撑层和过滤金属层；

所述过滤支撑层，包括纳米孔；

所述过滤金属层，形成于所述过滤支撑层的所述纳米孔以外的区域上。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述掩模金属层的金属材质电子背散射系数大于0.2；

所述掩模支撑层的材质包括氮化硅纳米膜、硅片或者SOI基片；

所述过滤金属层的金属材质电子背散射系数大于0.2；

所述过滤支撑层的材质包括氮化硅纳米膜、硅片或者SOI基片；

所述纳米孔为单个孔或者呈阵列设置的多个孔。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述步骤1中，所述掩模支撑层的材质为氮化硅纳米膜；

所述掩模版的制备包括如下子步骤：

在掩模支撑层上沉积金属，采用光刻工艺图形化，形成掩模金属层；

在掩模支撑层上掩模金属层外的裸露区域形成叉指电极掩模图形，完IB201549OA1

成掩模版的制备。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述步骤1中，所述掩模支撑层的材质为硅片或者SOI基片；

所述掩模版的制备包括如下子步骤：

在掩模支撑层上形成叉指电极掩模图形区域；

沉积金属，采用光刻工艺图形化，形成掩模金属层，使叉指电极掩模图形裸露，完成掩模版的制备。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述步骤1中，所述过滤板支撑层为氮化硅纳米膜；

所述过滤板的制备包括如下子步骤：

在过滤支撑层上沉积金属，采用光刻工艺图形化，形成过滤金属层；

在过滤支撑层上过滤金属层外的裸露区域形成纳米孔，完成过滤板的制备。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述步骤1中，所述过滤板支撑层为硅片或者SOI基片；

所述过滤板的制备包括如下子步骤：

在过滤支撑层上形成纳米孔区域；

沉积金属，采用光刻工艺图形化，形成过滤金属层，使纳米孔裸露，完成过滤板的制备。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，采用电子枪进行电子束曝光，所述电子枪的电子束流面积大于所述掩模版的叉指电极掩模图形区域的面积。

8.一种采用如权利要求1至7任一项所述的制备方法制备得到的声表面波滤波器。

9.如权利要求8所述的声表面波滤波器，其特征在于：包括压电衬底和叉指电极；

压电衬底；

叉指电极，形成于所述压电衬底上；

其中，所述叉指电极的线宽尺寸小于500纳米。