[发明专利]基板处理装置和方法

说明书

提供了基板处理装置。基板处理装置包括基板支承部、等离子体生成部和电力供应部，其中：基板支承部支承基板，并且能够通过静电力固定基板；等离子体生成部生成用于使基板的电荷放电的放电用等离子体；电力供应部向基板支承部和等离子体生成部供应电力，其中，电力供应部向等离子体生成部在使基板的电荷放电时供应具有波动图案的电力。

技术领域

本发明涉及基板处理装置和方法。

背景技术

在制造半导体装置或显示装置时，可以实施光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积、清洗等各种工艺。在这里，光刻工艺包括涂覆、曝光和显影工艺。将感光液涂覆到基板上(即，涂覆工艺)，在形成有感光膜的基板上进行曝光而形成电路图案(即，曝光工艺)，并且对基板的经曝光处理的区域选择性地进行显影(即，显影工艺)。

在工艺腔室内，基板可以支承在静电卡盘上。静电卡盘可以通过由静电感应生成的静电力固定基板。

发明内容

解决的技术问题

本发明要解决的问题在于提供基板处理装置和方法。

本发明的问题不限于在上文中提及的问题，并且本领域的技术人员通过下面的记载将可以清楚地理解未提及的其他问题。

问题的解决方案

为解决问题的本发明的基板处理装置的一个方面包括基板支承部、等离子体生成部和电力供应部，其中：基板支承部支承基板，并且能够通过静电力固定基板；等离子体生成部生成用于使基板的电荷放电的放电用等离子体；电力供应部向基板支承部和等离子体生成部供应电力，其中，电力供应部在使基板的电荷放电时向等离子体生成部供应具有波动图案的电力。

电力供应部包括第一电力供应部和第二电力供应部，其中：第一电力供应部向基板支承部供应直流电力；以及第二电力供应部向等离子体生成部供应RF电力。

第一电力供应部在使基板的电荷放电时施加比用于对基板的工艺处理的直流电压小的第一放电直流电压，并且在施加第一放电直流电压之后施加比第一放电直流电压小的第二放电直流电压。

第二电力供应部在使基板的电荷放电时供应比用于对基板的工艺处理的RF电力小的第一放电RF电力，在供应第一放电RF电力之后供应比第一放电RF电力大的第二放电RF电力，并且在供应第二放电RF电力之后供应比第一放电RF电力和第二放电RF电力小的第三放电RF电力。

由第一电力供应部和第二电力供应部供应的电力图案包括工艺处理区间、放电开始区间、无序度提升区间和放电结束区间，其中：在工艺处理区间执行针对基板的工艺处理；在放电开始区间完成针对基板的工艺并且基板开始放电；在无序度提升区间使残留在基板上的电荷的无序度提升；以及在放电结束区间使残留在基板上的电荷持续放电。

第一电力供应部在放电开始区间供应比工艺处理区间小的电力，并且在无序度提升区间和放电结束区间供应比放电开始区间小的电力。

第二电力供应部在放电开始区间供应比工艺处理区间小的电力，在无序度提升区间供应比工艺处理区间小并比放电开始区间大的电力，并且在放电结束区间供应比放电开始区间和无序度提升区间小的电力。

放电用等离子体与用于基板的工艺的工艺气体被激发而形成的工艺用等离子体相同。

放电用等离子体在通过工艺用等离子体完成针对基板的工艺之后生成。

电力供应部通过使放电用等离子体作用于基板的电荷强度改变，从而提升存在于基板上的电荷的无序度。

为解决问题的本发明的基板处理方法的一个方面包括：针对通过静电力固定在基板支承部上的基板执行工艺的步骤；以及利用等离子体生成部生成放电用等离子体，以去除残留在基板上的电荷的步骤，其中，放电用等离子体通过向等离子体生成部供应具有波动图案的电力而生成。